洋半导体上市了可供手机锂荡子电池组（1～2个电池单位）等应用的充放电保护电路用MOS FET新产品“EFC4612R/EFC4615R”。该产品在4个焊球的BGA封装上各封装了一个放电用和一个充电用FET。与该公司2年前推出的首款BGA封装产品（EFC4601R）比拟，此次产品（EFC4612R）的封装面积减小了39％，封装高度降低了33％。


面向消息媒体的宣布会。三洋半导体的吉村充弘（高端器件事业部小型器件开辟部课长）介绍了此次的产品。摄影：Tech-On!。投影显示的是三洋半导体的数据。上部的大年夜尺寸封装为EFC4615R，下部的小尺寸封装为EFC4612

该公司近日于东京面向消息媒体举办的宣布会上表示，此次的产品在功能及机能雷同的BGA封装产品中为“业界最小最轻”（高端器件事业部小型器件开辟清晨长秋庭隆史）。固然LGA封装有更小型的产品，但“大年夜用户封装工时的角度看，不会随便马虎选择LGA。一般都邑斟灼揭捉择BGA产品”（秋庭隆史）。
 

半导体工艺和封装均采取新技巧
此次产品的应用示例。蓝色虚线内的部分为此次的产品
 EFC4612R与EFC4615R比拟，导通电阻和封装尺寸不合。EFC4612R在4.5V时的导通电阻RSSon为24/39/45（最小/平均/最大年夜）mΩ，封装尺寸为1.26mm×1.26mm×0.37mm。EFC4615R的导通电阻为19/27/31（最小/平均/最大年夜）mΩ，封装尺寸为1.46mm×1.46mm×0.37mm。2010年5月开端样品供货，样品价格方面，EFC4612R为100日元，EFC4615R为150日元。大年夜2010年6月开端以3000万个/月（两型号合计）的范围实施量产。


封装面积和高度的变更趋势

此次产品的开辟过程中，上游的半导体工艺和下流的封装工序均采取了新技巧。前者采取了该公司最新的第五代沟道工艺。由此，与现有产品比拟降低了导通电阻，并减小了封装面积。机能指标（标准化导通电阻）保持在71.5mΩ·mm2



改变焊锡球的外形

后者的封装采取了两项扁平化技巧。一是改变了焊锡球的外形。大年夜本来的球状改为了半球状，高度降低了120μm。第二项是封装后头的保护膜技巧。将Si部分的高度比原产品降低80μm，并为确保强度而在后头粘贴了20μm的保护膜。这削减了60μm的高度。两项技巧加起来，此次将高度大年夜已有的EFC4601R的550μm降低了33％至370μm。

在后头增长保护膜
该公司的实验注解，在粘贴保护膜之后，抗冲击性进步到了无保护膜时的2倍。别的，在板卡等上封装此次的产品时，不易产生决裂及缺损。并且，此次还在黑色树脂上合营应用了白色文字，与已有产品在金色封装上采取黑色文字比拟，文字的视认性得以进步。