2017年6月27日，德国慕尼黑和纽伦堡讯—效力更高、功率密度更大年夜、尺寸更小且体系成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的重要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）开端批量临盆EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌可以或许更好地发挥碳化硅技巧的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，推敲到成本效益，它已可用于不合应用。不过，为了让这一新的半导体技巧成为可以依附的概绫屈性技巧，须要英飞凌如许的合作伙伴。针对应用量身定制产品、我们的临盆才能、对技巧组合和体系的周全懂得：这四大年夜优势使我们成为功率半导体市场的引导者。依托英飞凌碳化硅产品组合，我们欲望并且可以或许杀青这一目标。” 全新1200 V碳化硅MOSFET已进行优化，同时具备高靠得住性与机能优势。其动态功率损耗要比1200V硅（Si）IGBT低一个数量级。首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源（UPS）和充电/储电体系等应用。不久的将来推出的新型号，也将为打造实用于工业变频器、医疗设备或铁路设备帮助电源的概绫屈性解决筹划创造前提。 1200 V SiC MOSEFT采取的沟槽栅技巧的一大年夜优势在于持久的稳定耐用性。这是因为其具备较低的工作时光掉效（FIT）率和有效的短路才能，可适应不合的应用。得益于4 V的阈值电压（Vth）和+15 V的推荐接通阈值（VGS）），这些晶体管能像IGBT一样获得控制，在产生故障时得以安然封闭。碳化硅MOSFET可以实现高速开关，别的，英飞凌碳化硅MOSFET技巧可以经由过程栅极电阻调节来改变开关速度，是以，可以轻松优化EMC机能。 早在客岁，英飞凌就已推出主导产品EASY 1B（半桥/Booster）以及分立器件TO-247-3pin和TO-247-4pin产品。EASY 1B平台十分成熟，是实现快速开关器件的幻想模块平台。在本年的PCIM展会上，英飞凌将展出基于1200 V SiC MOSFET技巧的其他模块平台和拓扑。它们将慢慢扩大年夜CoolSiC MOSFET的机能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包含： 

• 采取B6（Six-Pack）拓扑的EASY 1B：该模块的特点是成熟的英飞凌模块设备，导通电阻（RDS(ON)）仅45 mΩ。集成的体二极管确保低损耗续流功能。该EASY 1B实用于传动、太阳能或焊接技巧范畴的应用。

• 采取半桥拓扑的EASY 2B：这个较大年夜的EASY器件，其机能加强，每个开关的RDS(ON)为8 mΩ。低电感模块概念是功率跨越50 kW和快速开关应用的幻想选择，比如太阳能逆变器、快速充电体系或不间断电源解决筹划等。

• 采取半桥拓扑的62 mm：附加的半桥设备，具备更大年夜功率，每个开关功能的RDS(ON)为6 mΩ。该模块平台为中等功率范围体系实现低电感连接创造了前提。这一特点弘统骂多应用，包含医疗设备或铁路设备的帮助电源等。因为有大年夜量潜在应用，英飞凌估计该模块将敏捷普及。