CSD18541F5重要特点和优势

• 10-V栅源 (V_GS)的超低54-mΩRdson比传统60-V负载开关减小90%，使功耗得以降低。
• 超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA查阅TI有关FET功率MOSFET的完全产品系列。
• 专家分享常识和解决难题。
• 和NexFET是德州仪器(TI)的商标。所有其它商标均归其各自所有者专属。

2016年7月14日，北京讯德州仪器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60-V负载开关低90%，同时，使终端体系功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。如需懂得更多信息与样品，敬请拜访www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。

CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典范的54-mΩ导通电阻(Rdson)，其设计与优化的目标是代替空间受限的工业负载开关应用中的标准小旌旗灯号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列(LGA)封装的焊盘间距为0.5-mm，易于安装。请浏览博客文┞仿懂得更多信息：“设计综述，懂得有关LGA封装的具体信息。