上海宏力半导体系体例造有限公司 (宏力半导体)，日前宣布了基于其稳定的0.18微米逻辑平台的先辈45V LDMOS电源治理制程。

与传统线宽比拟，0.18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电路成为可能，大年夜而可以实用于SoC和智能电源。宏力半导体成熟的0.18微米逻辑制程配备了具有高精准模型的完全设计对象包，极大年夜地缩短了产品的设计周期，加快客户产品的投产。此外，该0.18微米逻辑制程还分别供给了通用逻辑和低功耗逻辑平台供客户选择。

经由过程优化器件的构造、注入和热处理过程等特定步调减小了Rdson (导通电阻)，45V NMOS 和 PMOS的导通电阻分别约为70 mΩ/mm2 和 160 mΩ/mm2。导通电阻的减小可以使电源芯片功率驱动部分的面积缩减10～40%，客户是以可认为电源治理应用供给加倍有效的解决筹划。

发卖市场及办事资深副总裁卫彼得博士说：“宏力半导体最新宣布的45V LDMOS是一个高机能的制程，可认为客户供给一个低成本的解决筹划，缩短产品上市时光。这个技巧平台针对今朝快速成长的电源治理芯片市场，实用于尖端的LED驱动、马达控制和电池治理。宏力半导体在汽车电子芯片范畴已经积聚了多年的临盆经验，我们信赖这个先辈的新制程也可以或许知足汽车登着笙苛的请求。”

除此以外，模块化制程也加倍灵活。1.8V的器件可以易于添加或者移除，可实用于客户的特别请求。除了标准的5V器件外，根据客户的特定设计，3.3V也可以用来备选。其他诸如MiM，HR和Bipolar等器件也可供客户选择。