瑞萨科技宣布推出R2J20653ANP，一款实用于标记本电脑用CPU及存储器等器件中稳压器（VR）的Integrated Driver-MOSFET。它相符Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)标准，并具有支撑高达27V电压的高电压容限，具有业界最高、达到91%的高电源效力（当输入电压为20V时，输出电压为1.1V）。该产品已于2009年12月7日起投入量产。

Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)是英特尔公司提出的半导体器件标准封装情势。*1在一个零丁的封装中，集成了一个DrMOS、两种类型CPU电源所需的MOSFET等器件，以及驱动器IC。R2J20653ANP是相符此标准的高集成器件。例如，它可以用于将20V的输入电压转换成1.1V的CPU电源电压。下面是 R2J20653ANP的特点描述：

经久以来，瑞萨一向在供给相符DrMOS标准的一系列产品，尤其是输出电压为12V的办事器和台式电脑。新的R2J20653ANP将可承载的输入电压扩大到实用于标记本电脑的20V适配器电压，成为瑞萨高电压容限电源类的首款产品。这款产品的推出有助于标记本用CPU电源在实现加倍小型化的同时，达到更高的机能，并且有望带动DrMOS标准加倍广泛的应用。

R2J20653ANP集成了一个大年夜小仅为6.0×6.0×0.95(mm)的零丁的40引脚QFN封装，以及CPU电源等所需的两类功率MOSFET，并具有一个用以驱动它们的驱动器IC。是以，与采取三个封装的传统设备比拟（与瑞萨以往产品比拟较），节俭了70%的安装空间。别的，高散热封装适应于高速转换，是以也削减了外部有源部件的大年夜小和数量，如电感器和电容器。

(2) 在20V电压下，达到业界顶级的电源效力

(1) 相符DrMOS 标准，具有高电压容限，知足20V的标记本适配器电压需求

经由过程在一个小封装中的集成实现了高效力，并采取了具有业界高程度机能的细微匹配功率MOSFET和高机能驱动器IC。例如，在输入电压为20V、输出电压为1.1V（频率为300MHz）时，电压转换效力可以达到业界最高程度的91%。这有助于电源达到更低的功耗和更大年夜的电流机能。

(3) 实用于更多小型CPU电源的紧凑（6×6mm）型高散热封装

这种封装与瑞萨针对办事器的R2J20651ANP DrMOS兼容产品在引脚上相兼容，后者可以支撑12V的输入电压。这就削减了在现有体系上，采取R2J20653ANP所需的开辟时光。

为了保护标记本电脑免受过热、甚至是燃烧的伤害，产品的过热保护设计尤其重要。例如，可以在产品设计阶段供给产品的过热保护功能。 R2J20653ANP是业界首款DrMOS兼许可产品，将两个阶段的过热保护功能整合到驱动器IC中，包含了过热警告功能和过热关断功能。这就使器件更安然并高度靠得住。

产品背景

跟着标记本电脑等数码产品变得越来越小巧、简便，它们的内部元件——CPU和存储器等，也正在赓续的达到更高的机能程度。同时，对于为半导体元器供电的电源，还有着降低功耗、进步机能和缩减尺寸的请求。

为了应对这些在电源半导体元件（电源的关键元件）范畴的请求，瑞萨积极的为市场惹人分立式、高机能功率MOSFET和DrMOS兼容产品。而瑞萨作为业界最先供给DrMOS兼容产品的厂商之一，其产品支撑办事器和台式电脑所采取的12V输入电压，今朝还广泛的应用于各类产品中。在标记本电脑范畴，对于更小型、更高效电源的需求日益增长。R2J20653ANP这款DrMOS兼许可集成驱动器MOSFET具有支撑标记本电脑适配器所采取的20V电压的高电压容限，也恰是基于这种理念开辟出来的。

产品详情

R2J20653ANP在一个零丁的40引脚QFN封装中整合了两个功率MOSFET（一个高端MOSFET和一个低端MOSFET）和一个功率 IC。在一个零丁封装中的高度集裁缝味着器件间互联的寄生电感将异常小，幻想用于高频操作。所采取的功率MOSFET是瑞萨的最新设计，它们供给了业界最高的机能。低端MOSFET整合了一个肖特基势垒二极管，以降低开关损耗。驱动器IC还优化了用于所应用MOSFET的开关控制。

(4) 两个阶段过热保护功能

瑞萨科技筹划为针对标记本电脑的DrMOS产品阵列增长功能更强、损耗更低的新产品，以知足客户赓续增长的需求并拓展产品的发卖。

典范应用

用于标记本电脑的CPU稳压器

最后，在高频袈渌行下，业界最高的效力和持久性使其可以或许减小尺寸和外部无源元件的数据，是以也就降低了电源的┞符体大年夜小。

用于办事器和台式电脑的DC/DC转换器

规格

无铅、高散热封装相符DrMOS标准并具有紧凑的安装区域。带有镀铜层的无线设备用于内部互联，充分降低了封装内的阻抗。占据封装后面一半以上区域的引脚用于大年夜电流路径，以防止与电流和散热有关的问题。