π-MOS IX 系列 600V 平面 MOSFET 兼具高效率和低噪音优点

东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的 600V 平面 MOSFET 系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。

π-MOS IX 系列采用经优化的芯片设计，与现有的 π-MOS VII 系列相比，其 EMI 噪声峰值低 5dB^[1]，同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度，因此有助于减小设计工作量。此外，π-MOS IX 系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的 MOSFET。

东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多 600V 器件以及 500V 和 650V 器件，以扩大其 π-MOS IX 系列的产品阵容。

应用场合

· 笔记本电脑 AC 适配器和游戏机充电器的中小型开关电源
· 照明电源

特点

· 兼具高效率和低噪音优点
· 额定雪崩电流和额定直流电流相等

主要规格

注：
[1] TK10A60D 与 TK750A60F 相比较（65W 笔记本电脑适配器的 200MHz 范围内）

有关中高电压功率 MOSFET 产品阵容的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/mosfet/hv-mosfet.html

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东芝电子元件及存储装置株式会社推出新一代

π-MOS IX 系列 600V 平面 MOSFET 兼具高效率和低噪音优点

应用场合

特点

主要规格

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