推动高能效立异的安森美半导体，推出一系列新的高机能器件进一步加强了低压降(LDO)线性稳压器产品声威，以支撑双倍数据速度(DDR)内存。NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采取内置功率MOSFET，针对在电脑、数据收集、工业和手持花费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、伺服器、路由器、智妙手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和小我电脑/标记本电脑主机板。还供给经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位体系、信息娱乐和无线收集及蓝牙通信。

    安森美半导体集成电路产品副总裁Simon Keeton说：“DDR内存广泛扩大至很多非传统产品如连接和物联网(IoT)促使加强的数据通信。我们现为全部DDR市场供给周全的变革器件，实用于新设计项目，以及直接替代现有器件；但具更高机能以支撑将来内存进级。NCP51400和NCP51510是很先辈的集成电路(IC)，能支撑下一代DDR技巧，而NCP51145结合卓越的机能及有吸引力的价格。此外，我们供给经由过程汽车认证(AEC-Q100)的版本，使最新的信息娱乐和安然体系能跟上新车客户期望的数据请求。

    这些高机能LDO支撑DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准，终端电压(VTT)低至500毫伏(mV)。当与DDR4和LPDDR4应用时，每一种的主动源电流翰闯电流才能达2安培(A)。此外，当应用DDR4 和LPDDR4时，NCP51145可支撑高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别供给2 A和1.5 A源汲电流，而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支撑长途感测。这些高度集成的DDR终端LDO的优势还包含软启动、片上热关断和(对一些器件) 欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大年夜器，对线性电压和负载电流瞬变供给超快响应。所有这些器件还都兼容DDR1 和DDR2 ，易于进级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为-40 °C 至 +125 °C，可扩大至+150 °C用于汽车版本。

    封装和订价

    扩大了的15个NCP51xxx LDO 筹划供给3 种不合的封装，包含8只引脚的SOIC-EP、8只引脚2x2 mm的DFN和10只引脚3x3 mm的DFN封装。每3,000片批量的单价范围大年夜0.07美元至0.195美元。<