基于J750EX测试体系的SRAM VDSR32M32测试技巧研究_企业动态_电源资讯_高压电源,脉冲电源,高压脉冲电源-苏州聚永达电子科技有限公司

基于J750EX测试体系的SRAM VDSR32M32测试技巧研究王鑫，王烈洋，占连样，陈像，张水苹，汤凡，黄小琥，李光1引言 SRAM 静态随机存取存储器是一种具有静止存取功能的内存，不须要刷新电路技能保存它内部存储的数据。它的重要长处是速度快，不必配备刷新电路，可进步整体的工作效力。集成度低，功耗小，雷同容量的体积较大年夜，并且价格较高。但在串行低速数据参预行高速数据转换的过程中，存储器起的是数据缓冲感化。为了获得更高的传输速度和更大年夜的传输容量，须要更高的速度和更安闲量的存储器。VDSR32M32 是珠海欧比特公司研制出的一种高速、安闲量的TTL同步静态存储器，内部由8片 256Kbit CMOS SRAM 构成，实现了由8个存储容量为256K×16bits 字节的芯片扩大成容量为1M×32bits 的 SIP 安闲量存储器芯片，同时具有设计简单，应用灵活等特点。2VDSR32M32芯片介绍2.1VDSR32M32的构造本器件是一种安闲量、高速的 SRAM。采取了先辈的立体封装技巧，把8片高速安闲量的 SRAM 分八层进行叠装，构成了总容量为32M bit 数据宽度为32位的安闲量存储器,具体内部构造见图1. 这种构造不只大年夜大年夜的扩充了存储器的容量和数据位宽，并且还可以在应用时大年夜量节俭了PCB板的应用空间。经由过程应用了立体封装的技巧缩短了互连导线，大年夜而降低了寄生效应，使得器件具有高机能、高靠得住、长命命、安闲量等的机能特点。图2为 VDSR32M32 中的任一 Block 的构造框图，它重要由控制逻辑、存储整列等构成。VDSR32M32重要特点如下：?总容量：32M bit；?工作电压：3.3V(典范值)，3.0~ 3.6V(范围值)；?数据宽度：32位；?拜访周期：12ns；?所有输入输出兼容TTL电平；?68脚SOP II 封装。

VDSR32M32电特点。

2.3VDSR32M32功能操作

3 VDSR32M32测试筹划在本案例中，我们选用了 Teradyne 公司的J750测试体系对 VDSR32M32 进行周全的机能和功能评价。该器件的测试思路为典范的数字电路测试办法，即存储阵列的读写功能测试及各项电特点参数测试。 3.1 J750测试体系简介J750测试体系是上海Teradyne公司临盆的存储器主动测试机，Teradyne J750的高容量并行测试才能的设备测试效力可以高达95%。零脚印体系许可测试头琅绫擎可以容纳多达1,024 个输入/输出（I/O）通道，供给一整套选项，包含转换器测试选项、内存测试选项、冗余分析和混淆旌旗灯号选项。这些极大年夜地拓宽了测试才能范围。该体系还有 IG-XL (TM) 测试软件，把最新 PC 技巧和Windows NT 操作体系的力量和机能与标准的 Windows 对象（比如Microsoft Excel 和Visual Basic）融合在一路。3.2DSIO简介DSIO 即为 Digital Signal Input/Output（数字旌旗灯号输入/输出）模块的简称，它能使 J750EX 对数字旌旗灯号进行发送（source）、抓取（capture）及分析（analyze）等操作。此模块的应用办法十分灵活，转换测试须要输入的高速数字波形，器件存放器须要动态写入的数字数据，自力存在于数字测试矢量中的数据发送，以及对上述各类数据的抓取操作均可以应用该模块顺利完成。对VDSR16M32的测试就采取了 DSIO 可以自力于测试矢量，对个别管脚零丁发送所需的数字数据这一功能。3.3 采取J750测试体系 DSIO 模块测试筹划设计1)硬件设计按照J750测试体系的测试通道设备规矩,绘制 VDSR32M32的测试转接板,要对器件速度、工作电流、抗干扰等相干身分进行综合考量。2）软件设计推敲到应用该模块为器件供给须要施加鼓励旌旗灯号的特别性，我们采取了 J750测试体系基于Visual Basic 和 Microsoft Excel 对象，在 IG-XL 测试软件下对法度榜样进行编写，具体实施步调如下：A. 按照J750的标准编程办法，先完查对 VDSR32M32的Pin Map、Channel Map、等芯片管脚进行定义；

VDSR32M32立体封装 SRAM 芯片采取8片型号为 R1RW0416DSB-2PI 的基片应用欧比特公司的SIP立体封装工艺堆叠而成，分为自力的8个片选旌旗灯号（#CS0~#CS7），实现了由8个存储容量为256K×16bits 字节的芯片扩大成容量为1M×32bits 的 SIP 安闲量存储器芯片。各引脚的功能应用解释如下：?VCC：+3.3V 电源输入端;?VSS：接地引脚；?A0~A17:地址同步输入端；?#LB：低字节选择;?#UB: 高字节选择;?#OE：输出使能, 数据攫取时需置为低，写时置为低；?#CE0/#CE7：片选旌旗灯号，低电平有效时选中该片；?DQ0~DQ32：数据输入/输出脚；? #WE: 写使能旌旗灯号.
引脚定义B. 对DC测试项进行定义包含 DC Spec、Pin Levels 等，此项不需进行 Pattern 编辑；C. 编辑 pattern 所应用的 function 测试项VOL,VOH,时序参数包含 AC Spec、Time Sets、Test Instance 等编辑。

3.4VDSR16M32的功能测试针对 SRAM 等存储单位阵列的各类故障模型，如阵列一一个或多个单位的一位或多位固定为0或固定为1故障（Stuck at 0 or 1 fault）、阵列一一个或多个单位固定开路故障（Stuck open fault）、状况转换故障（Transition fault）、数据保持故障（Data maintaining fault）、状况耦合故障（Coupling fault）等，有响应的多种算法用于对各类故障类型加以测试，本文采取棋盘格CHECKBOARD、全0、全1的测试吧算法。不论何种算法，对于安闲量的存储器来说，测试矢量的长度也会随其容量的增长而递增，响应地，测试时光随之增长。对此，J750EX 测试体系的 DSIO 模块可以供给一个很好的解决筹划。3.5VDSR32M32的电机能测试针对 SRAM 类存储器件，其电性测试内容重要有管脚连通性测试（continuity）、管脚漏电流测试(leakage)，管脚工作电流测试(ICC)、休眠电流（ISB）、输出高/低电平测试（voh/vol），时序参数测试(TAA、TACS、TOE等)。1）PMU简介PMU 即为 Parametric Measurement Unit，可以将其想象为一个电压表，它可以连接到任一个器件管脚上，并经由过程force电流去测量电压或 force 电压去测量电流来完成参数测量工作。当PMU设置为force 电流模式时，在电流上升或降低瓯，一旦达到体系规定的值，PMU Buffer就开端工作，即可输出经由过程 force 电流测得的电压值。同理，当 PMU 设置为 force 电压模式时,PMU Buffer会驱动一个电平，这时便可测得响应的电流值。SRAM 器件的管脚连通性测试（continuity）、漏电流测试(leakage)、voh/vol测试均采取如许的办法进行。2）VDSR32M32的工作电流测试((ICC)、休眠电流（ISB）、时序参数测试(TAA、TACS、TOE)VDSR32M32的休眠电流测试不须要编写 pattern 测试，而工作电流测试须要测试 pattern，，须要留意的是测试静态电流时器件的片选控制旌旗灯号需置成 vcc 状况，测试动态电流时负载电流（ioh/iol）需设为0 ma。对时序参数进行测试时， pattern 测试是必弗成少的，并须要在 Time Sets ,Characterization 进行响应的时序参数设置。下图为测试项目界面：

参考文献：[1] Neamen,D.A.电子电路分析与设计——模仿电子技巧[M]。清华大年夜学出版社。2009：118-167.[2] 珠海欧比特控制工程股份有限公司. VDMR4M08应用解释书[Z]. 2013.

基于J750EX测试体系的SRAM VDSR32M32测试技巧研究

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