英飞凌科技股份公司宣布了可以或许让应用于汽车中的高速开关实现最高效力的高稳定性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT相符AEC-Q 标准，可降低诸如车袈湄充电、功率因数校订（PFC）、直流/直流和直流/交换转换等电动汽车（EV）和混淆动力汽车（HEV）应用的功率损耗并进步其靠得住性。

    TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT系列器件的额定电流为40A或50A，有单一分立式IGBT和可与英飞凌超快“Rapid”硅二极管合营封装的IGBT两种产品。对于这两种产品中的任何一种，英飞凌均能供给H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST两个系列产品，这取决于优化开关速度和实现最高效力是否为重要设计标准。

    全新IGBT系列阻断电压比前代汽车级IGBT高50V，此外，得益于英飞凌TRENCHSTOP™ 5薄晶圆技巧，该系列产品达到同类最佳效力。与现有的尖端技巧比拟，全新IGBT的饱和电压（VCE(sat)）降低了200mV，开关损耗减半，并且栅极电荷降低2.5倍。同时，因为开关损耗和导通损耗双双降低，与替代技巧比拟，全新IGBT系列在雷同的应用中结平和外壳温度更低。这不仅进步了器件的靠得住性，并且最大年夜程度降低潦攀冷却需求。

    经由过程应用TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT，电动汽车设计师可实现器件效力晋升所带来的额外优势，即可以或许延长续航里程或缩小电池尺寸。对混淆动力汽车来说，效力进步意味着降低总燃油消费和削减二氧化碳排放。别的，TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT器件的卓越机能使得其能进入今朝重要采取MOSFET技巧的应用，并为设计师供给基于不合半导体芯片技巧的广泛选择。

    效力晋升优势示例

   对用于车袈湄充电器的典范PFC电路来说，以TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT替代当前尖端技巧已经注解效力大年夜97.5%晋升至97.9%。如不雅是3.3kW 充电器，这相当于功率损掉降低13W。假设充电时光为5小时，这相当于每个充电周期二氧化碳排放削减30g。

    供货情况

    650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT采取TO-247封装。工程样品现已供货，批量临盆定于2015年3月。<