基于magnum II测试体系的MRAM VDMR8M32测试技巧研究_企业动态_电源资讯_高压电源,脉冲电源,高压脉冲电源-苏州聚永达电子科技有限公司

基于magnum II测试体系的MRAM VDMR8M32测试技巧研究张水苹，王烈洋，占连样，陈像，汤凡，王鑫，黄小琥，李光1.引言MRAM静态随机存取存储器是一种具有静止存取功能的内存，不须要刷新电路技能保存它内部存储的数据。它的重要长处是速度快，不必配备刷新电路，可进步整体的工作效力。集成度低，功耗大年夜，雷同容量的体积较大年夜，并且价格较高。但在串行低速数据参预行高速数据转换的过程中，存储器起的是数据缓冲感化。为了的到更高的传输速度和更大年夜的传输容量，须要更高的速度和更安闲量的存储器。VDMR8M32是珠海欧比特公司研制出的一种高速、安闲量的TTL同步静态存储器，其容量为256k×32bit，同时具有设计简单，应用灵活等特点。2.VDMR8M32芯片介绍122.1VDMR8M32的构造VDMR8M32是一款高集成度的静态随机存取存储器，其总含有8M bits。因为此芯片琅绫擎包含2个片选，具体的道理框图见图1。这种构造不只大年夜大年夜的扩充了存储器的容量和数据位宽，并且还可以在应用时大年夜量节俭了PCB板的应用空间。大年夜图1可以看出，每个片选控制了32位的数据总线。图2为VDMR8M32中的Block的构造框图，它重要由控制逻辑、存储整列等构成。VDMR8M32的重要特点如下：总容量：8M bit；数据宽度为32位；快达35ns的读写周期；完全静态操作，无需刷新；兼容SRAM时序；采取3.3V电源供电。无穷次读写；数据保存大年夜于20年；掉落电主动数据保护。

2.2VDMR8M32的引脚解释VDMR8M32芯片采取的是SOP封装工艺，整块芯片外面镀金，如许可以大年夜幅度加强了芯片的抗干扰和抗辐射的才能，有利于该芯片能应用于航空航天等恶劣的情况。VDMR8M32芯片各引脚分布见下图3所示，各引脚的功能解释如下：VCC：+3.3V电源输入端。滤波的旁路电容应尽可能接近电源引脚, 并直接连接到地；VSS：接地引脚；A0~A16：地址同步输入端；#W：此端为低时写入，为高时写无效，数据有效产生在响应地址有效之后的两个周期；#G：输出使能, 数据攫取时需置为低，写时置为低；#CEn：低电平有效时选中该片；DQ0~DQ31：数据输入/输出脚。

4.VDMR8M32的测试筹划在本案例中，我们选用了Teradyne公司的magnum II测试体系对VDMR8M32进行周全的机能和功能评价。该器件的测试思路为典范的数字电路测试办法，即存储阵列的读写功能测试及各项电特点参数测试。344.1magnum II测试体系简介Magnum II测试体系是上海Teradyne公司临盆的存储器主动测试机，它由主机和测试底架构成，每个测试底架包含5个网站装配板（Site Assembly Board），每个装配板有128组测试通道，可用来连接DUT（Device Under Test）的管脚，5个装配板之间完全互相自力，故可以结合多个装配板测试管脚数更多的产品。除了与主机通信的装配板外，测试底架还包含体系电源供给、电源监控板、冷却电扇、以太网集线器和测试板锁定装配。应用Magnum II测试体系时，经由过程主机编程的方法设备各装配板，再由各装配板对DUT进行一系列向量测试，最终在主机的UI界面打印出测试结不雅。Magnum II测试体系有着强大年夜的算法模块APG（Algorithmic Pattern Generator），可生成各类考验法度榜样，即测试pattern，如棋盘格测试法度榜样，反棋盘格测试法度榜样，全空间全1测试，全空间全0测试，读写累加数测试，读写随机数测试，对界线测试等，采取这些测试向量可以对器件进行较为周全的功能检测。4.2采取Magnum II测试体系的测试筹划设计1）硬件设计按照magnum II测试体系的测试通道设备规矩，绘制VDMR8M32的测试转接板，要对器件速度、工作电流、抗干扰等相干身分进行综合考量。2）软件设计推敲到应用该模块为器件供给须要施加鼓励旌旗灯号的特别性，我们采取了magnum II体系的特别编程说话和C++编程说话，在VC++情况中调试测试法度榜样，来完成响应的┞菲握操作。具体实施步调如下：A、按照magnum II的标准编程办法，先完查对VDMR8M32的Pin Assignments 定义，Pin Scramble定义，Pin Electronics，Time Sets等的设置。B、肯定Sequence Table Execution Order，编辑每一组测试项，即Test Block, Test Block 琅绫擎须要包含Pin Electronics，Time Sets，funtest()函数，funtest()函数中就会应用到pattern。C、编辑pattern应用的是magnum II测试体系的特别编程说话，应用APG中各模块的功能编辑所须要的算法指令，编译生成object code。4.3VDMR8M32的功能测试针对MRAM等存储单位阵列的各类故障模型，如阵列一一个或多个单位的一位或多位固定为0或固定为1故障（Stuck at 0 or 1 fault）、阵列一一个或多个单位固定开路故障（Stuck open fault）、状况转换故障（Transition fault）、数据保持故障（Data maintaining fault）、状况耦合故障（Coupling fault）等，有响应的多种算法用于对各类故障类型加以测试，本文采取，全0、全1，棋盘格、反棋盘格，累加，随机数的测试算法。1）APG简介APG即为Algorithmic Pattern Generator（算法模式生成器）模块的简称，它实袈潋为一台电脑，用特别的编程说话和编译器生成目标代码供测试体系应用，APG重要由两个地址生成器（XALU和YALU）、一个数据生成器(Data Generator)、一个时钟选择旌旗灯号生成器(Chip Select)构成。一组地址生成器最多可编辑24位地址长度，结合两个地址生成器可产生一系列的地址算法，如单个地址的递增（increment）、递减(decrement)、输出全为1(all 1s)、输出全为0(zeros)等操作，两个地址的接洽关系操作有相加(add)、相减(subtract)、或运算(or)、与运算(and)、异或(xor)运算等，应用这些地址算法可以异常灵活地寻址到器件的任一一个存储单位，以知足各类测试需求。数据生成器最多可编辑36位数据长度，其功能除了有相加(add)、相减(subtract)、或运算(or)、与运算(and)、异或(xor)运算等以外，还可以与地址生成的背景函数（bckfen）合营应用，以生成须要的数据，如本地址为奇数是生成0x55的数据，本地址为偶数时生成0xaa的数据等等。时钟旌旗灯号生成器最多可编辑18个片选通道，并且可产生4种不合的波形，即脉冲有效，脉冲无效，电平有效，电平无效。除以上四个模块外，APG还包含管脚定义模块（pinfunc），计数器（count）,APG控制器（mar）等，应用magnum II特别的编程说话并应用这些模块的功能编辑出所须要的算法指令，便可以对器件进行功能测试。4.4 VDMR8M32的电机能测试针对MRAM类存储器件，其电性测试内容重要有管脚连通性测试（continuity）、管脚漏电流测试(leakage)，电源管脚静态电流测试(isb)、电源管脚动态电流测试(IDDR/IDDW)、输出高/低电平测试（voh/vol），时序参数测试(TAVQV、TGLQV、TELQV)。1）PMU简介PMU即为Parametric Measurement Unit，可以将其想像为一个电压表，它可以连接到任一个器件管脚上，并经由过程force电流去测量电压或force电压去测量电流来完成参数测量工作。当PMU设置为force 电流模式时，在电流上升或降低瓯，一旦达到体系规定的值，PMU Buffer就开端工作，即可输出经由过程force电流测得的电压值。同理，当PMU设置为force 电压模式时， PMU Buffer会驱动一个电平，这时便可测得响应的电流值。MRAM 器件的管脚连通性测试（continuity）、漏电流测试(leakage)、voh/vol测试均采取如许的办法进行。2）mr8m32的静态电流测试(isb)、动态电流测试(IDDR/IDDW)、时序参数测试(TAVQV、TGLQV、TELQV)VDMR8M32的静态电流测试不须要测试pattern，而动态电流测试须要测试pattern，应用的电流抓取函数分别是test_supply()和ac_test_supply()，须要留意的是测试静态电流时器件的片选控制旌旗灯号需置成vcc状况，测试动态电流时负载电流（ioh/iol）需设为0ma。对时序参数进行测试时， pattern测试是必弗成少的。采取逐次切近亲近法进行，可以固定控制旌旗灯号的时序，改变data strobe的时序来捉取第一次数据输出的时光；也可以固定data strobe的时序，改变┞菲握旌旗灯号的第一次有效沿的时光，与data strobe的时序做差运算即可获得器件的最快反竽暌功时光。下图是VDMR8M32测试法度榜样编辑完成并经编译无误的结不雅。

参考文献：[1] Neamen,D.A.电子电路分析与设计——模仿电子技巧[M]。清华大年夜学出版社。2009：118-167.[2] 珠海欧比特控制工程股份有限公司. VDMR8M32应用解释书[Z]. 2013.

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