英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。词攀类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技巧，使本来就很低的导通损耗因为载流子构造的优化获得了进一步降低。

    凭借 25°C时典范饱和压降 (VCE(sat)) 为1.05 V的傲人成就，词攀类新型 IGBT成功地将效力程度晋升到一个新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前辈 TRENCHSTOP IGBT，使效力在NPC1拓扑中晋升高达 0.1％，在 NPC 2 拓扑中晋升 0.3％。再加上VCE(sat)的温度系数为正，保持高效力的同时还能直接并联——建立了20kHz 以下频率的IGBT的行业标杆。锻造新 L5系列魂魄的 TRENCHSTOP5技巧，不只能供给无与伦比的低传导损耗，还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述，在低开关频率应用处合应用英飞凌新推出的低饱和压降 IGBT 能晋升效力，增长靠得住性并且缩小体系的尺寸。

    第一波面世的新L5 IGBT系列采取业界标准的TO-2473针封装技巧。此外，为了知足须要进一步加强效力的应用处合，英飞凌还供给 TO-247 4针开尔文-发射极封装版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。与标准的 TO-247 3针封装版比拟，TO-247 4针封装版的开关损耗削减了 20％。是以，L5与TO-247 4针封装的结合，不只创造了最终版低传导能耗和低开关损耗成就，还赞助英飞凌巩固了在为高功率市场供给高度立异并且与众不合的产品方面的领先地位。

    设备规格

    新型低饱和压降L5系列有30A和75A两种规格，一种是单IGBT情势，另一种则合装有英飞凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二极管。TO-247 4针开尔文-发射极封装版有75A规格。<