6月21日，东芝选择了由美国、日本和韩国公司构成的财团，个中包含SK海力士作为公司存储营业的首选投标人。如不雅交易顺利的话，SK海力士将在市场竞争中具备更大年夜的竞争优势。台湾和大年夜陆等其他投标人都未被东芝接收，因为这意味着技巧泄漏已经被阻拦了，因为批量临盆，价格有望进一步降低。韩国半导体系体例造商的进步不仅可以推动韩国出口范畴的成长，同时也晋升了行业地位。

根据IT市场研究公司的数据，第一季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4％。这个数字具有绝对优势，但平泽半导体厂的投产将会扩安闲星公司与第二名公司之间的差距。V-NAND技巧经由过程垂直堆叠单位来增长存储容量。固然传统的半导体是二维的，然则新开辟的半导体是三维的。今朝，三星电子是世界上独一批量临盆64层V-NAND闪存芯片的公司。NAND闪存芯片的需求估计将因为其在云办事、加强实际和无人驾驶汽车等范畴的应用而大年夜幅攀升。三星电子决心在与敌手的竞争中领先一步，成为名副其实的全球顶级IT公司。

正如韩国真好经计揭捉究院李仁喆师长教师的介绍，三星电子公司在平泽新工厂投资了15.6万亿韩元。平泽半导体厂占地面积为289万平方米，约四百个足球场那么大年夜，是世界上最大年夜的单体工厂。该工厂临盆最先辈的64层3D NAND闪存半导体。三星电子的目标是经由过程大年夜范围临盆第四次工业概绫屈核心范畴的关键构成部分，进一步巩固其在半导体存储器范畴的领先地位。三星电子正在为将来的半导体市场进行大年夜范围投资，包含2021年前将对平泽工厂扩大年夜投资14.4万亿韩元，增长更多的半导体临盆线。与此同时，SK海力士欲望经由过程收购日本的东芝公司来实现飞跃。

东芝是NAND闪存的原始开辟商之一。今朝，其全球市场份额排名第二。东芝在投资核电厂后遭受巨大年夜损掉，是以决定出售其半导体单位。包含美国、日本和韩国在内的公司对这桩收购都异常感兴趣，包含SK海力士在内的国际财团决定以20万亿韩元实现收购。今朝SK海力士公司是第四大年夜NAND闪存制造商，而东芝是第二大年夜NAND闪存制造商。SK海力士公司欲望收购东芝半导体部分巩固本身的地位。如不雅东芝半导体部分和SK海力士杀青合作，那么韩国企业将可以或许成为NAND闪存范畴的两大年夜顶尖企业。估计这将使韩国进一步巩固其在半导体市场的地位。

本年上半年韩国出口增长了15％以上，个中出口增长最多的是半导体。恰是因为半导体出口表示优胜，全部出口范畴的表示才可圈可点。英特尔是世界最大年夜的CPU制造商，所有的PC电脑都须要英特尔的CPU芯片。但根据野村公司的分析，三星电子的发卖额达到151亿美元，而英特尔在二季度的发卖额为144亿美元。对于三星电子公司来说，可以或许超出英特尔，这是自进入该范畴以来的第一次，是一个汗青性的里程碑。此外，三星公司季度营业利润估计将跨越120亿韩元，不仅超出了英特尔，并且跨越了苹不雅公司。

6月份，韩国半导体系体例造商出口额创下了新的记载，当月发卖额跨越80亿美元。第二季度，三星电子的发卖额达到了60万亿韩元，营业利润达14万亿韩元。据市场不雅察人士介绍，这意味着三星公司第二季度发卖额跨越英特尔，其营业利润也高于苹不雅公司。英特尔在1993年推出了实用于PC电脑的奔跑CPU后，登上了半导体市场的巅峰，24年来一向保持着这个行业的王者地位。三星电子公司赶超英特尔成为行业第一，这是汗青性的时刻，也是一个优胜的开端，将来还需加倍尽力。

中国正在尽力经由过程应用其巨大年夜的本钱实力，经由过程并购全球半导体公司来缩小与韩国的技巧差距。事实上，中国当局比来一向在大年夜力推动半导体行业成长。中国顶尖国有芯片制造商清华紫光集团宣布筹划投资700亿美元扶植3座新的半导体工厂，个中240亿美元将用于中国武汉今朝正在扶植的3D NAND闪存芯片厂。这比三星电子公司投资额更大年夜，筹划于2018年投产。

韩国半导体行业如今可能正在积极成长，但中国正在快速赶超。中国当局主导半导体市场，旨在每年将进口半导体成本降至300万亿韩元，同时包管就业，稳定政治情况。中国当局还宣布筹划到2025年投资1万亿人平易近币，实现中国本土企业临盆的半导体芯片比例至少达到70％。跟着竞争的赓续加剧，韩国须要更多的投资和技巧研发来确保其地位。同时，行业对存储芯片的依附也必须获得有效解决。

韩国在内存芯片方面处于领先地位，但在非内存或体系集成电路范畴，韩国的市场份额还不到5％。专家们一致认为，如不雅韩国欲望在半导体行业持续领跑，那么必须看重体系半导体行业的成长。体系半导体在物联网、人工智能、虚拟实际和无人驾驶汽车等范畴快速成长，在第四次工业革射中获得广泛应用。英特尔、高通等全球半导体公司在这一范畴已经占据了市场。所以对于韩国企业来说，要想在全球市场上博得竞争力，就要向这些范畴的偏向成长。

韩国半导体家当的汗青始于1965年。大年夜半导体组装开端，在研发出64K DRAM产品后，1983年韩国继美国和日本之后，排名世界第三位。1992年韩国获得DRAM范畴的头把交椅。2013年，韩国成为世界上第一个实现3D V-NAND闪存贸易化的国度。韩国应以这种立异大年夜胆的精力为基本，保持在半导体行业的引导地位。