全球功率半导体和治理筹划引导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采取高机能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，合适12V输入DC-DC同步降压应用，包含先辈的电信和收集通信设备、办事器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及标记本电脑等应用。

    IRFH4257D采取IR的新一代硅技巧和封装专利技巧，以紧凑的4×5功率模块供给卓越的热机能、低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg) ，带来一流的功率密度和更低的开关损耗。

    IR亚太区发卖副总裁潘大年夜伟表示：“与IR的其它FastIRFET器件一样，IRFH4257D可与各类控制器或驱动器合营操作，为单相位或多相位应用供给灵活的设计，同时实现更高的电流、效力和频率。跟着 IRFH4257D参加IR的功率模块系列，设计师可选择能知足其设计请求的 4×5或5×6 PQFN封装。”

    IRFH4257D相符工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准，所采取的物料清单环保、不含铅，并相符电子产品有害物质管束规定 (RoHS)。

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