日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采取3种PowerPAK®封装尺寸的新系列VRPower®集成式DrMOS功率级解决筹划，用以应对高功率和高机能的多相POL应用中的设计挑衅。

    Vishay Siliconix SiC789和SiC788采取MLP66-40L封装和相符Intel® 4.0 DrMOS标准(6mm x 6mm)的┞芳位；SiC620和SiC620R采取新型5mm x 5mm 的MLP55-31L封装；SiC521采取4.5mm x 3.5mm的MLP4535-22L封装。这些器件实用于须要大年夜电流，电路板空间有限的计算和存储设备、电信交换机和路由器、图形卡、比特币挖矿机中的DC/DC转换器。

    比如，SiC620R采取可双面冷却的MLP55-31L封装，在典范的多相降压转换器里可以或许输出70A电流，效力达到95%。经由过程在封装的┞俘面和后头对器件进行冷却，在占位比前一代封装缩小33%的同时，损耗还削减了20%。在标记本电脑和办事器、通信交换机及游戏机主板的外接电源里，3.5mm x 4.5mm尺寸的SiC521可以或许持续输出25A电流，峰值电流达40A。

    VRPower系列的┞筏极驱动IC兼容各类PWM控制器，支撑5V和3.3V的三态PWM逻辑。别的，驱动IC整合了二极管仿真模式电路，可以或许进步轻负载前提下的效力，自适应逝世区时光┞菲握有助于进一步进步在所有负载点下的效力。器件的保护功能包含欠压锁定(UVLO)、击穿保护，过热报警功能在结温过高时会向体系发出戒备。

    SiC789和SiC788的6 mm x 6 mm封装便于已经采取Intel标准DrMOS 4.0占位的设计进级到更高的输出功率，而新的5mm x 5mm和3.5mm x 4.5mm占位异常合适电路板空间受限，须要采取更多小尺寸电压稳压器的新设计。PowerPAK MLP55-31L和MLP4535-22L在设计上还有多项改进和进步，改良了封装的寄生效应和热机能，充分发挥Vishay最先辈的Gen IV MOSFET的动态机能。

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