新闻资讯
NEWS
联系我们
CONTACT US
我国自主研制的首批8英寸IGBT芯片实现国产化
发布时间：2016-05-03 人气：0次 编辑：未知
据中国工程院院士、南车株洲所总经理丁荣军介绍，如不雅将IGBT等电力电子技巧应用到全国20%的电机中，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。同时，中国自立研发的高功率等级的IGBT对涉及国度经济安然、国防安然等计谋性家当至关重要。<
近日，由我国自立研制的首批8英寸IGBT（绝悦魅栅双极型晶体管）芯片模块在昆明地铁车辆段完成段内调试并稳定运行1万公里，这标记住我国已彻底打破国外高端IGBT技巧垄断，实现大年夜研发、制造到应用的完全国产化。
此次试运行的IGBT模块，由中国南车株洲研究所旗下南车时代电气自立研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的┞符套技巧均在该公司研制和临盆。
推荐产品
热点新闻
- 电位器和可调电阻的区别是什么？ 2016-05-03
- 变频器电路板上的电子元件介绍 2016-05-03
- 快恢复二极管检测方法与常见故障原因介绍 2016-05-03
- plasma清洗技术相关介绍 2016-05-03
- 等离子体表面处理器相关结构和功能介绍 2016-05-03
- 油烟净化器用电源的连接方法介绍 2016-05-03
- 模拟电源、开关电源、数字电源的区别介绍 2016-05-03
- 模块电源之交流电抗器和直流电抗器有哪些区别？ 2016-05-03
- 开关电源厂对通信电源电磁兼容性的分析与测试 2016-05-03
- 高频开关直流电源的保护技术介绍 2016-05-03
服务热线：
地址：苏州市高新区滨河路 588号3幢1011室
