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三星DRAM碰到天花板
发布时间：2017-04-19 人气：0次 编辑：未知
据韩国媒体报道，三星电子为了巩固存储器霸业，制订了宏伟的DRAM成长蓝图，不过业界预估，15纳米工艺可能是DRAM制程微缩的极限，与此同时三星还将感触感染到来自中国颐魅者的压力。
三星DRAM碰到天花板？15nm工艺或是那道坎
三星客岁开端量产18纳米DRAM，今朝正研发17纳米DRAM，预定本岁尾完成开辟、来岁量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开辟小组，目标最快2020年量产。相干人士泄漏，微缩难度高，2020年量产时光可能延后。
三星大年夜20纳米制程，转进10纳米制程，缩小线宽（Line－width）的速度明显放缓。对此，三星设备解决筹划部分的半导体实验室人员Jung Eun－seung说，为了持续缩小线宽，必须开辟与当前不合的新材质，并进步制程稳定性，以便进入量产。因为由15nm开端，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，须要开辟新的材质。
业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，将来三星可能难以经由过程制程微缩拉大年夜与敌手差距，并担心中国颐魅者奋起直追，赶上三星。
三星DRAM碰到天花板？15nm工艺或是那道坎
三星客岁开端量产18纳米DRAM，今朝正研发17纳米DRAM，预定本岁尾完成开辟、来岁量产。与此同时，三星也成立16纳米DRAM开辟小组，目标最快2020年量产。相干人士泄漏，微缩难度高，2020年量产时光可能延后。
三星大年夜20纳米制程，转进10纳米制程，缩小线宽（Line－width）的速度明显放缓。对此，三星设备解决筹划部分的半导体实验室人员Jung Eun－seung说，为了持续缩小线宽，必须开辟与当前不合的新材质，并进步制程稳定性，以便进入量产。因为由15nm开端，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，须要开辟新的材质。
业界人士估计，15纳米或许是制程微缩的极限，将来三星可能难以经由过程制程微缩拉大年夜与敌手差距，并担心中国颐魅者奋起直追，赶上三星。
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