日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内初次采取这种小尺寸、热加强型PowerPAK SC-75 1.6mm x1.6mm和PowerPAK SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件，导通电阻分别小于200m?和100m?。
                              
    今天推出的MOSFET实用于升压转换器、低功率DC/AC逆变器，以及电信砖式电源、负载点应用和便携式设备中的LED照明等小型DC/DC转换器的初级侧开关。对于设计者来说，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节俭PCB空间，其低导通电阻可实现更低的导通电阻，大年夜而降低能源消费，进步效力。别的，MOSFET可在4.5V下导通，简化了栅极驱动。
    在导通电阻比尺寸更重要的应用中，2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大年夜导通电阻为83m?和130m?，导通电阻与栅极电荷乘积在10V和4.5V下分别为540mΩ-nC和455mΩ-nC，该参数是DC/DC转换器应用中评价MOSFET的优值系数(FOM)。对于尺寸大年夜小更重要的应用，1.6mm x1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大年夜导通电阻为185m?和310m?，在10V、4.5V下的FOM为611mΩ-nC和558mΩ-nC。
    SiB456DK和SiA416DJ进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET相符JEDEC JS709A的无卤素规定，相符RoHS指令2011/65/EU。
  新款MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十二严密十四周。