富士通半导体近日宣布，应用配备该公司开辟的硅基板GaN功率器件的办事器用电源，成功输出了2.5kW的高功率，同时还颁布了2013年下半年开端量产硅基板GaN功率器件的目标。该公司将在往后提出应用该器件的多种电源竽暌功用筹划，力争2015年度凭借GaN功率器件实现约100亿日元的发卖额。
        富士通半导体表示，该公司为了推动可以或许经由过程大年夜口径化来降低成本的硅基板GaN功率器件营业，大年夜2009年就开端开辟量产技巧。大年夜2011年起该公司还开端向指定的电源营业与合作伙伴供给GaN功率器件的试成品，意在在电源装配范畴实现优化应用。
图1：试制的TO247封装GaN器件（左）以及形成有GaN器件的6英寸硅晶圆（右）
图2：评测用电源电路

        富士通半导体还与富士通研究所合营开辟了多项技巧。个中包含，在硅基板上发展优质GaN结晶的工艺技巧、用来克制开关时导通电阻上升的电极设计优化等器件技巧，以及支撑GaN高速开关的电源装配电路设计技巧。富士通半导体在采取GaN功率器件的评测用电源电路中，成功获得了跨越以往硅器件的转换效力。别的，该公司还试制出了在功率因数改良电路部分派备GaN功率器件的办事器用电源，实际验证了输出2.5kW高功率的工作情况。        富士通半导领会津若松工厂的6英寸晶圆量产线已完成了启动预备工作，将大年夜2013年下半年开端周全量产GaN功率器件。往后该公司精晓过供给针对应用做了优化的GaN功率器件，并在电路设计方面赐与技巧支撑，为开辟多种用处的低损掉、小型档链装配供给支撑。该公司精晓过这些举措，力争2015年度凭借GaN功率器件实现约100亿日元的发卖额。