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Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首批采取超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批初次推出的6.0V基纳二极管及开关二极管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的规格供给,比采取DFN1006-2封装的同类产品节俭70%的印刷电路板空间,并降低40%的离板高度。
     Diodes已率先推出包含七款采取微型封装的低漏即位纳二极管系列,它们实用于电压参考、电压调剂、过压保护及受电压限制的应用。GDZ基纳二极管可供给由5.1V至8.2V的额定电压 (Nominal Voltage) ,而仅有±5% 的电压误差。
     与此同时,Diodes还推出了两款额定电压为85V的低电容 (CT≤3pF) 微型封装开关二极管。1SS361LP3具有快速开关 (tRR≤4ns) 的机能特点,而BSA116LP3的低漏电电流 (IR≤10nA) 则有助延长电池寿命。


    X3-DFN0603-2封装可知足平板电脑、手机等轻巧便携式产品对组件微型化日益增长的需求。此外,该封装还具备高效散热设计,可达到250mW的功率耗散,亦可改良电气机能,并能经由过程削减引线电感来晋升效力。

 

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