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ZXGD3105N8：Diodes 推出同步MOSFET控制器
发布时间：2016-08-15 人气：0次 编辑：未知
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET调换低效力的肖特基整流器，作为幻想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效力。
ZXGD3105N8以SO8封装供给，可用于工业及花费性产品中的交换-直流与直流-直流内部及外部的电源供给器。同时，该控制器还能在高达500kHz的开关频率下运作，有助减小变压器的体积，大年夜而实现更纤细的外形设计。
该控制器具备少于1mA的静态电流，并能以低至4.5V的电源电压运作，远胜于其他竞争敌手的解决筹划。此外，该控制器还能供给超出“能源之星”待机评级标准的反激式电源。
该MOSFET控制器作为比例式闸极驱动器运作，可防止不须要的MOSFET封闭，并使MOSFET封闭传播延迟降低至15ns，大年夜而削减反向电流，有助最大年夜幅度地晋升电源电路效力。
ZXGD3105N8以SO8封装供给，可用于工业及花费性产品中的交换-直流与直流-直流内部及外部的电源供给器。同时，该控制器还能在高达500kHz的开关频率下运作，有助减小变压器的体积，大年夜而实现更纤细的外形设计。
该控制器具备少于1mA的静态电流，并能以低至4.5V的电源电压运作，远胜于其他竞争敌手的解决筹划。此外，该控制器还能供给超出“能源之星”待机评级标准的反激式电源。
该MOSFET控制器作为比例式闸极驱动器运作，可防止不须要的MOSFET封闭，并使MOSFET封闭传播延迟降低至15ns，大年夜而削减反向电流，有助最大年夜幅度地晋升电源电路效力。
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