日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET经由过程JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采取密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的机能。
Vishay Siliconix的工厂位于加州Santa Clara，已被DSCC从新认证，可采取MIL-PRF-19500标准对所临盆的MOSFET进行筛选。在用于军工和重要航空应用的体系中，MIL-PRF-19500标准建立了对分立器件的机能、质量和靠得住性请求的绳尺。
今天推出的器件实用于TTL/CMOS直接逻辑电平接口，继电器、螺线管、灯、电锤、显示器、存储器和晶体管的驱动，以及电池供电体系和以及固态继电器。MOSFET的密封TO-205AD封装可遭受军工和航天应用中更高的温度。
60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典范导通电阻低至1.3Ω，栅源阈值电压为1.7V，开关速度为8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典范导通电阻为3.6Ω，栅源阈值电压为1.6V，开关速度为6ns。两款器件均具有低输入和输出泄漏，以及低至35pF的典范输入电容。
2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各项标准进行了100%的内部视觉(在封盖前)考验。除削减2个步调(MIL-STD-750标准的视觉考验和加工)以降低成本以外，Vishay还对这些产品进行了Group A、Group B、Group C和Group E检测，以进一步进步产品的靠得住性。
经由过程JAN认证的MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十六周。