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FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET，以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接，可以或许随便马虎进行同步降压转换器的构造和走线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)经专门设计，为高达30A的输出电流实现最佳功能。FDMS36xxS系列将上述器件集成在一个模块中，可替代两个或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封装，有效削减线路板空间。

FDMS36XXS系列产品采取飞兆半导体先辈的电荷均衡架构(樊篱栅极技巧)和先辈封装技巧，可在高机能计算的额定击穿电压下，获得低于2mΩ的业界领先低端R_DS(ON) 。该系列产品经由优化，以便最大年夜限度地减小300kHz至600KHz范围的综合传导损耗和开关损耗，为负载点和多雷同步降压DC-DC应用带来靠得住的最高功能。

FDMS3602S的单价为1.86美元

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FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET应用独特的樊篱电压调制架构和超低源极电感封装设计，具有低开关噪声、低设计变更敏感度和较高的设计靠得住性。低开关噪声可以省去须要外部缓冲器或栅极电阻的缓减设计，大年夜而降低设计BOM成本并且节俭额外的线路板空间。

FDMS36xxS系列器件今朝包含：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench功率级非对称N沟道双MOSFET。飞兆半导体将会根据研究和客户需求增加更多的器件。两款FDMS36xxS系列器件均知足RoHS标准请求。

这些非对称构造功率级双MOSFET模块是飞兆半导体周全广泛的先辈MOSFET产品系列的构成部分，为电源设计人员供给了实用于关键义务的高效信息处理设计的周全解决筹划。

价格(订购1,000个):

FDMS3604AS的单价为1.62美元