650V CoolMOS CFD2集快速开关超等结技巧MOSFET的优胜性于一身，包含更出色的轻载效力、更低栅极电荷、易于应用和出众的靠得住性等。此外，该产品具备更低单位面积通态电阻和更低容性开关损耗，许可轻松控制开关行动，并且供给了当前市场上最结实耐用的体二极管。比拟于前代产品600V CFD，新推出的CoolMOS CFD2产品还降低了体系成本。总体而言，它是实用于谐振开关拓扑的最优选择。

英飞凌的最新一代高压CoolMOS MOSFET取得了又一项立异，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的长处，不仅可以进步能效，并且具备更软的交换功能，大年夜而降低了电磁干扰（EMI），晋升产品的竞争优势。　　

英飞凌估计，650V CoolMOS CFD2的最大年夜潜在市场包含太阳能逆变器、办事器、照明装配和用于通信体系的开关电源（SMPS）等。　　

英飞凌科技高压MOS产品线经理Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借我们具有概绫屈意义的CoolMOS技巧，英飞凌已成为能效及功率密度方面的市场领袖。650V CFD2解决筹划进一步强大年夜了CoolMOS产品阵营，并且设立了新的行业标准，例如，将光伏逆变器的效力进步至98.1%。”　　

供货情况及订价

IPW65R080CFD（650V、导通电阻80毫欧姆、TO247封装）样片现已开端供货。起订量为1万颗时，单价为6.00美元。