业内首个基于130 nm BCDLite平台的嵌入式闪存技巧，实用于电源、MCU和工业应用范畴
 
全球领先的┞符合单片机、混淆旌旗灯号、模仿器件和闪存专利解决筹划的供给商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）日前经由过程其子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布推出已经由过程认证、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite^®技巧平台的、SST低掩膜次数的嵌入式SuperFlash^®非易掉性存储器（NVM）技巧。仅仅只需四步掩膜即可将SST嵌入式SuperFlash存储解决筹划和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技巧结合在一路，为电源、单片机（MCU）和工业IC设计人员供给兼具成本效益、高耐用性的嵌入式闪存解决筹划。在诸如电池充电（5V-30V）等高容量电源竽暌功用范畴，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台与SST SuperFlash嵌入式存储功能的搭配将实现先辈的电池监测功能，精确测量出电池的应用时光和健康状况。
 
作为业内首个结合SST嵌入式SuperFlash存储技巧和先辈模仿技巧的代工厂，GLOBALFOUNDRIES的130 nm BCDLite平台拥有业界领先的Rdson，这使得设计人员可以或许以小尺寸裸片实现可编程的单芯片电源解决筹划。
 
SST全球市场营销及营业成长总监Vipin Tiwari表示：“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技巧与先辈130 nm BCDLite工艺节点的结合，开辟了产品全新的应用潜力，尤其是对于电源治理市场而言，令人倍感振奋。如今，有BCDLite工艺需求的客户可以在降低成本的同时为其复杂算法添加嵌入式SuperFlash存储技巧。”
 
GLOBALFOUNDRIES嵌入式存储副总裁Dave Eggleston表示：“我们与SST合作开辟出的┞封一客户就绪的130 nm模块化BCD+NVM平台，为客户供给了前所未竽暌剐的集成化程度，实用于各类请求苛刻的电池供电应用，包含无人机、智能电机控制及常关移动计算等。”
 
 
欲懂得更多有关SST专有SuperFlash^®NOR闪存专利技巧的信息，请拜访www.sst.com/technology/SuperFlash-Overview。

基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台的SST SuperFlash技巧筹划现已开端投放市场，同时由一个资本丰富的自定义库供给完全的技巧支撑，该自定义库包含了针对模仿/电源SoC而优化的现成IP模块资本。

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Silicon Storage Technology简介
Microchip子公司SST是一家领先的嵌入式闪存技巧供给商。SST开辟、设计、授权和发卖针对花费、工业、汽车和物联网（IoT）市场的多元化专有SuperFlash^®专利存储技巧解决筹划。SST成立于1989年，于1995年上市（纳斯达克股市代号：SSTI），之后在2010年4月被Microchip收购。如今，SST是Microchip的一家全资子公司，总部设在美国加州圣何塞。详情请拜访SST网站www.sst.com。
 
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Microchip Technology简介
Microchip Technology Inc.（纳斯达克股市代号：MCHP）是全球领先的┞符合单片机、混淆旌旗灯号、模仿器件和闪存专利解决筹划的供给商，为全球数以千计的花费类产品供给低风险的产品开辟、更低的体系总成本和更快的上市时光。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市，供给出色的技巧支撑、靠得住的产品和卓越的质量。详情请拜访公司网站www.microchip.com。
 
注：SST名称、SST徽标及SuperFlash均为Microchip Technology Inc.和Silicon Storage Technology, Inc.（若实用）在美国及其他国度或地区的注册商标。在此说起的所有其他商标均为各持有公司所有。