IR的新款高机能PQFN 3 x 3封装是制造技巧改进的结不雅，以全新周详占位空间供给较标准PQFN 3 x 3组件赶过最多60%的负载电流效能，同时明显削减整体封装电阻，大年夜而达到极低的导通电阻(RDS(on))。除了低导通电阻，新的高机能PQFN封装加强了热传导性和进步了靠得住性，还相符工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

国际整流器公司(International Rectifier，IR)推出一系列25V及30V组件，采取了IR最新的 HEXFET MOSFET 硅组件和新款PQFN 3 x 3封装，实用于电信体系、收集通信和高阶桌上型计算机和标记型计算机应用的DC/DC转换器。

新的PQFN封装技巧也实用于5 x 6mm占位空间组件，但不消像标准PQFN 5 x 6组件般，在设计请求更多电流时须要增长额外的┞芳位空间。

该系列包含充当控制MOSFET的最佳化组件，供给低闸极导通电阻(Rg)以削减开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新组件采取FETKY (单片式FET及肖特基二极管)组态方法供给，大年夜而缩短逆向答复复兴时光，以加强效力和EMI机能。

IR亚太区发卖副总裁潘大年夜伟表示：“新的高机能PQFN封装组件系列为DC/DC应用供给经优化、异常靠得住灵活的高密度解决筹划。此外，跟着IR扩大PQFN产品，客户如今可以大年夜浩瀚封装组合中作出适被选择，让他们的设计达到最佳结不雅。”

新组件的厚度少于1mm，使它们与现有的外面黏着技妙策容，并且拥有行业标准的┞芳位空间，还相符电子产品有害物质限制指令(RoHS)。