宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大年夜其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大年夜了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源竽暌功用供给了急切须要的电压余量。

今天推出的┞封批650V快速体二极管MOSFET采取E系列超等结技巧制造，反向恢复电荷(Q_rr)比传统MOSFET低10倍。如许器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的掉效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中进步靠得住性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。

180

21A SiHx21N65EF有5种封装情势，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有两种封装。这些MOSFET的导通电阻分别只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，栅极电荷也异常低，使得器件的传导损耗和开关损耗都极低，在太阳能逆变器、办事器和通信电源体系、ATX/Silver PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、外置式电动汽车(EV)充电桩等高功率、高机能开关应用，以及LED、高强度气体放电(HID)和荧光灯镇流器照明中起到节能的感化。

器件可遭受雪崩和换向模式中的高能脉冲，确保限值经由过程100% UIS测试。MOSFET相符RoHS，无卤素。

器件规格表：

编号

R_DS(ON) (mW) @ 10 V (最大年夜值)

Q_g (nC)

@ 10 V (典范值)

I_D (A)

@ 25 °C

Qrr (mC) @

25 °C (典范值)

封装

114

SiHA21N65EF

1.1

180

71

21

1.2

Thin-lead TO-220 FullPAK

SiHB21N65EF

21

1.2

新的650V EF系列MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十六严密十八周。

D2PAK (TO-263)

SiHG21N65EF

180

71

21

1.2

TO-247AC

SiHH21N65EF

SiHG33N65EF

157

68

21

0.9

SiHP21N65EF

180

71

21

1.2

TO-220AB

SiHG28N65EF

102

71

PowerPAK^® 8x8

97

28

1.1

TO-247AC

SiHP28N65EF

102

97

28

TO-220AB

95

33

1.18

TO-247AC

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大年夜制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、花费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和设备。凭借产品立异、成功的收购计谋，以及“一站式”办事使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的具体信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。