除了低导通电阻，这些器件的┞筏极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，这些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。

 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大年夜导通电阻，栅极电荷降至68nC，采取TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。

SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗，大年夜而在功率因数校订(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各类应用的LLC拓扑中节约能源，这些应用包含标记本电脑的交换适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。

新款N沟道MOSFET应用Vishay Planar Cell技巧进行临盆，该技巧为减小通态电阻进行了定制处理，可以在雪崩和通信模式下遭受高能脉冲。与前一代MOSFET比拟，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度，并减小了开关损耗。

这些器件相符RoHS指令2002/95/EC，并且经由了完全的雪崩测试，以实现靠得住工作。

新款功率MOSFET现可供给样品

并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为八严密十周。