瑞萨电子(Renesas)新推出七款采取HSON封装的功率MOSFET，包含额定电压40V及60V的N沟道MOSFET，及额定电压-30V的P沟道MOSFET，可用于各类螺线管、马达开关，或电池正负极逆向保护，尺寸为现有TO-252封装的一半，且直流电耐压可达75安培，实用于汽车电子控制单位，如引擎治理及电子帮浦马达控制等应用。

新款功率MOSFET采取新开辟的8-pin HSON封装外面积，只有TO-252封装的48%。尽管体积小巧，NP75N04YUG的Rth(Ch-Case)却只有1.09℃/W，是以可在外壳温度固定于25℃的情况下，处理138瓦的最高持续功率。

新产品支撑动作温度最高可达175℃。 特别是NP75N04YUG产品可处理75安培的持续电流，以及超低的4.8 mΩ最大年夜额定导通电阻。瑞萨表示，车用电子控制单位的数量逐年增长，对于模块体积小型化、轻量化及功能最大年夜化的需求也随之增长。瑞萨电子新推出的MOSFET产品，专为相符小型化、高功率密度体系的需求而设计。新开辟的8-Pin HSON封装品德实用于汽车电子体系，并可保持与体积较大年夜之TO-252封装MOSFET产品雷同效能。

瑞萨电子的NP74N04YUG、NP75N04YUG及NP75P03YDG功率MOSFET可处理高达75A的大年夜电流。配线采取汽车电子广泛应用的多条铝线，可遭受较高的电流，使产品效能大年夜为晋升。别的，七款新产品，均可达到175℃的动作温度，并且相符主动车AEC-Q101规范。这些MOSFET产品亦实用于高温情况，例如引擎室。