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飞兆半导体150V MOSFET在隔离DC-DC应用中实现更高机
发布时间：2016-07-29 人气：0次 编辑：未知
飞兆半导体宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大年夜值17mOhm)和优化品德因数(Figure of Merit; FOM) (最大年夜值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以知足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件应用飞兆半导体先辈的工艺技巧和封装技巧，以及体系专有技巧，并采取5mm x 6mm MLP封装，具有效力高、功耗较低和散热较少的特点。
价格： 订购1,000个，单价为1.92美元
FDMS86200应用樊篱栅极MOSFET技巧来设计，具有较低的开关噪声和振铃噪声，有助于降低EMI。如不雅没有这项专有技巧功能，设计人员则需被迫选择一个200V MOSFET器件，大年夜而令到RDS(ON)增长一倍，导致总体效力降低。飞兆半导体的FDMS86200 还带有经改进的体二极管，可以或许经由过程削减损耗来晋升开关机能。
供货： 现供给样品
交货期 ：收到订单后12至15周
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