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                                                     三菱电机媒体记者会通稿

碳化硅产品功耗更低

2014618

三菱电机估计功率器件市场到2016年再立异高

三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在参加2014年PCIM亚洲展时,估计功率器件市场在整体经历了2012年的事迹下滑后,市场正在逐渐恢复并升温,估计到2016年,整体事迹可以答复到2011年的汗青岑岭。


                    

为了知足市场须要,三菱电机功率半导体系体例作所总工程师佐藤低廉甜头师长教师表示,三菱电机持续每年投入产品研发,降低产品的重量、尺寸和损耗,最终实现晋升机能和降低成本。现时集中成长第7代IGBT模块、混淆碳化硅产品、工业用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。

三菱电机大年夜中国区半导体市场总监钱宇峰师长教师表示,在中国当局2014年履行的“治污染促花费”政策下,受益行业包含保障性安居工程、铁路、信息技巧、新能源、节能设备以及城市基本举措措施项目。三菱电机功率器件会在轨道牵引、变频家电、电动汽车、太阳能风能发电和机械人等工控主动化范沉闼楝有长足的成长。


白色家电和传统工业为主

对于三菱电机功率模块来说,钱宇峰指出,在中国市场最主如果白色家电和传统工业。特别是在变频空调范畴,今朝三菱电机的DIPIPMTM产品在中国市场份额接近60%。佐藤低廉甜头指出,这个采取压铸模技巧临盆的小型DIPIPMTM智能功率模块,已经成为行业标准。


钱宇峰续称,变频空调在2013年的变频率达到30%,2014年如有5%的递增,同时跟着2013年6月“节能惠平易近政策”正式推出,以及10月变频空调新能效标准的实施,变频率将逐年递增,其DIPIPMTM的需求也挥萼应晋升。

                      

至于风电,钱宇峰指出今朝厂家更多的研发已经大年夜陆优势电转向了海优势电,容量将大年夜3兆瓦到6兆瓦,以HVIGBT三电平筹划为主,估计将来五年总的市场容量将在500兆瓦至1GW,但和陆优势电每年13GW到岑岭弃的17GW是弗成同日而语的,是以市场潜力有限。


在传统工业范沉闼楝三菱电机的DIPIPMTM,以小型化、集成化、高性价比在市场竞争中胜出,重要用于通用变频器、伺服、数控等马达驱动和活动控制范畴,同时跟着中国的经济构造调剂,小功率产品的应用,特别是机械人和工厂主动化产品可能每年都有30%,甚至50%的晋升。{nextpage}


在高端变频器和伺服驱动器应用上,佐藤低廉甜头指出,将推出G系列IPM,进一步进步了产品集成度。内置自举电路、限流电阻和限流二极管,将三相逆变桥用的六个开关器件集成到小封装里,进一步简化了外围电路,并可经由过程管脚输出线性电压值,以及时`控模块温度。


电力牵引市场前景秀丽

作为大年夜功率电力牵引范畴,钱宇峰表示,三菱电机HVIGBT产品经由过程了IRIS的认证,其高靠得住性已经获得业界公认,被浩瀚轨道交通临盆厂家广泛采取。


比来二至三年内里国当局仍然将保持每年7千亿元的投仁攀来成长大年夜铁路项目,包含高铁、调和号货车、客货两运车等,再加上处所当局每年投入3千亿元建造地铁,全部牵引市场的投入近1万亿元,个中约1300亿元用于采购和更新机车,所以市场前景保持乐不雅。


针对动车市场,佐藤低廉甜头称将成长S系列和X系列的HVIGBT,采取新一代的IGBT芯片技巧,功耗降低20%,并同时采取混淆型产品,功耗进一步降低至30%,若将来采取正在开辟的IGBT全碳化硅产品,可降低70%功耗。

在谈到三菱电机仍采取8英寸而不是12英寸IGBT晶圆时,佐藤低廉甜头称,现时12英寸的晶圆,还没有稳定高压IGBT基板供给,反不雅8英寸的基板供货稳定,价格低很多,所以8英寸仍是市场主流。


在工业应用上,DIPIPMTM有两大年夜新产品,第一个是第6代超小型产品,采取第7代IGBT芯片,跟老芯片比拟,在同样的导通电压下,电流可以晋升20%。第二个是针对工业市场的小型DIPIPMTM,绝缘耐压为2500V,集成了IGBT和续流二极管等最重要的器件,在内部IC上设置了温度传感器,并输出正比于温度的线性电压,应用更安然。


对于本年推介的第7代IGBT模块,采取更薄的IGBT芯片,功耗降低了约15%-20%。模块分NX(通用)系列和STD(标准)系列两种封装,撤消了绝缘基板,进步了散热性,使产品变得更轻,效力晋升了35%。三菱电机更在产品上预涂导热材料(TIM),简化了客户的临盆工序。NX系列的分针型管脚或焊接收脚。为了降低反复开关造成的噪音,三菱电机加强了经由过程栅极电阻调节dv/dt的可控性。


新能源市场谨慎

在新能源范畴,三菱电机持乐不雅谨慎立场。钱宇峰解释,当局欲望引导太阳能市场大年夜集中式大年夜型电站慢慢向分布式小型电站成长,是以在岁首年代制订了本年14GW的装机容量目标,但半年纪后效不雅不睬想,估计最后目标会回归到2013年的10GW程度,市场将以大年夜型电站(单台1MW)分布式安装为主;同时合营推出三电平的筹划,以进步发电效力,作为往后太阳能光发奋电技巧成长的前端产品。


佐藤低廉甜头称,在太阳能应用上,产品将在小型化低功耗器件中,惹人混淆碳化硅产品。针对兆瓦级的风能或太阳能发电,将有两个系列产品,绝缘耐压值不合,1700V以下应用New-MPD,3300V以上采取HVIGBT。此外,还有合适三电平逆变器用的新型四合一IGBT模块,特别合适太阳能发电,能实现很高的转换效力。



在电动汽车方面,钱宇峰续称,据发改委的数据,在2015年将有50万台,到2020年达到500万台的辆,固然今朝的事迹离此目标还很远,然则信赖其市场潜能是巨大年夜的。


佐藤低廉甜头指出,为了实现超高品德车袈湄级模块,三菱电机严格控制IGBT加工工序,保存可以追溯的档案,可以找出不良产品。现时日系所有混淆动力车,根本应用三菱电机的模块,可以说是为行业建立了一个标准。

他续称,针对电动汽车市场,三菱电机推出了J1系列专用IGBT模块。这是个六合一的IGBT模块,采取了第7代IGBT芯片。这个产品采取针脚(Pin-fin)型铝散热器,便利和水冷体系结合,比以前铜散热器轻;同时也采取了直接主端子绑定(DLB)技巧,使键合线寿命进步了3倍;同时产品重量降低了30%,损耗也响应降低了。{nextpage}


芯片越来越薄

瞻望将来成长偏向,佐藤低廉甜头指出,一是芯片薄,能降低功耗;二是封装散热性好,包含能遭受更高的温度或晋升电流密度,以拓展产品覆盖面;三是集成度高,如嵌入驱动电路,以进步应用靠得住性。三菱电机将把以上三者有机结合起来,根据不合的应用范畴,开辟不合的新产品。

                     




佐藤低廉甜头指出,三菱电机的第7代IGBT芯片,其单位面积电流密度指数绝对值是最高的。为降低电流密度增长后的负面身分,三菱电机临盆IPM产品时,把驱动和控制集成,更能发挥第7代IGBT的机能。第8代IGBT芯片将仍朝晶圆超薄化,和加工工艺的技巧晋升偏向成长,不仅晋升晶圆机能,同时达到降低损耗的效不雅。

在封装技巧上,佐藤低廉甜头指出,采取压合封装技巧,客户可以直接把元件置于基板上,不须要锡焊,工艺、品德、成本控制都邑晋升。在新产品中,供给针型管脚或焊接收脚两种,还视乎厂家须要,制造不合尺寸的产品。


整体来说,佐藤低廉甜头表示,三菱电机已开端惹人混淆碳化硅产品,即IGBT芯片用传统的单晶硅,续流二极管用碳化硅,恢复特点特别好,开关频率高,节能效不雅更好。在30kHz的应用前提下,混淆碳化硅产品的功耗可以降低50%,合适应用在医疗设备,如核磁共振和CT彩超等应用中。


在全碳化硅产品的研发上,因为比单晶硅的价格贵好几倍,只能针对如日本新干线这种对产品请求极高,同时愿意承担费用的客户设计。在研发混淆碳化硅产品时,三菱电机会把价格控制在一致电流等级单晶硅产品的两倍以内。


为加快开辟产品应用筹划,钱宇峰说,三菱电机与大年夜学合作,由来自三菱电机日本的工程师和中国的应用工程师一路开辟解决筹划。解决筹划的技巧资本是公开的,经由过程解决筹划,客户可以敏捷导入基于新型模块的硬件设计和开辟。


最后,三菱电机大年夜中国区半导体总经理四个所大年夜亮表示,为了加强客户支撑的力度,三菱电机已于客岁成立了总部位于上海的大年夜中国区三菱电机半导体运行架构,将本来的发卖和代劳机构进行了精简和重组。秉承三菱电机“Changes for the Better”的标语,我们信赖新的运行架构,必将更好办事中国市场,更快助力中国电力电子家当的成长。{nextpage}


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