石墨烯是一种由碳原子构成的单原子厚度二维薄膜新材料。因为其导热系数高、电阻率极低、电子迁徙速度极快，是以被等待用来成长新一代电子元件或晶体管，用来制造透明触控屏幕、光板等。

     该材料由sp2杂化的C原子和Si原子构成，结合能为0.41eV/atom，处于势能面上的全局最低点，比已知的同分异构体pt-SiC2(由4配位sp3杂化的Si原子形成)大年夜能量上来得加倍稳定，是以其零丁存在的可能性更大年夜。

      然则因为其半金属特点(能隙为0 eV)，并不合适做热电材料和太阳能电池材料。为此，人们欲望经由过程构造调控和掺杂手段，增大年夜石墨烯的能隙，大年夜而拓展它们在光电器件中的应用。尽管碳基、硅基二维纳米材料是当前的研究热点，但具有适中能隙 (1–2eV)，且能隙不依附于手性或尺寸的材料尚未见报道。
     中科院福建物质构造研究所构造化学国度重点实验室吴立明研究察课题组在国度天然科学基金重点和面上项目支撑下，经由过程全局粒子群的优化搜刮算法与第一性道理办法相浇忧⒛手段，成功地猜测了能隙为1.09 eV的二维平面SiC2硅碳石墨烯 (g-SiC2)材料。

     此外理论猜测其熔点位于3000到3500K之间，其衍生纳米管的能隙(~1.09eV)不顺手性、尺寸等变更，这些注解该材料具有很好的应用潜力，相干研究结不雅揭橥在国际杂志《纳米快报》(Nano letters)上，该项工作为二维碳基纳米材料的构造改性设计、能带调控供给了重要的理论参考。