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意法半导体推出新款功率MOSFET

作者:高压电源网 日期:2016-05-04 09:10 出处:跌迁高压电源网 人气: 

    意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品经由过程AEC-Q101汽批驳试认证,采取意法半导体最先辈、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可供给D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

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    400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V和650V产品机能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管、恢复软度系数更高的换向行动和背对背栅源齐纳二极管保护功能,是全桥疗揭捉开关拓扑的幻想选择。 高压电源hvpsc.com

    意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr / Qrr比和恢复软度系数表示最好的功率MOSFET,同时也拥有最出色的高电流关断能量,有助于进步汽车电源能效。此外,内部快速体二极管的机能表示亦十分出色,有助于降低EMI电磁干扰,让设计人员可以或许应用尺寸更小的被动滤波器件。MDmeshTM DM2技巧经由过程这种方法让电源设计变得更环保、能耗更低,大年夜而使能效最大年夜化、终端产品的尺寸最小化。

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    •快速恢复体二极管

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    •极低的┞筏电荷量及输入电容,500V D2PAK产品的┞筏电荷量及输入电容分别为44nC和1850pF 内容来自高压电源网

    •低导通电阻

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    意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下重要特点:

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    •最短的Trr:600V TO-247在28A时是120ns;650V TO-247在48A时是135ns 内容来自高压电源网

    •栅源齐纳二极管保护<

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