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ST的先进半导体技术为未来移动网络基础设施奠定

作者:高压电源网 日期:2016-05-03 17:47 出处:跌迁高压电源网 人气: 

    意法半导体的BiCMOS55 SiGe 先特技巧被欧洲E3NETWORK项目构成取,用于开辟合适下一代移动收集的高效力、高容量数据传输体系。 高压电源hvpsc.com

    移动数据应用量的迅猛增长,请求收集体系支撑更大年夜的容量和更高的数据传输速度。而若何加快移动收集向先辈收集架构转型的速度,对移动回程线路(backhaul)基本举措措施是一个新的挑衅,例如异构收集(Heterogeneous Network)与云端无线接入收集(RAN, Radio Access Network),个中更高频段(例如E-band )可供给更大年夜带宽,以支撑更快的数据传输通道。 hvpsc.com

    扶植这些超高效力的移动收集,设备厂商须要拥有高机能且低功耗、低成本的大年夜范围集成电路电子元器件。E3NETWORK项目应用意法半导体的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工艺,开辟出55纳米的Ft高达320GHz的异质双极晶体管(HBT, Heterojunction Bipolar Transistors)。这项制造工艺准许在一颗芯片上集成高频模仿模块与高机能、高容量的数字模块,例如逻辑电路、AD/DA转换器和存储器。

    经由过程在一颗芯片上集成射频、模仿及数字电路,意法半导体BiCMOS55 SiGe器件不仅大年夜幅降低了外围设备的数量,亦可以或许同时进行功耗优化。<

内容来自hvpsc.com


E3NETWORK项目采取意法半导体的BiCMOS55制造,今朝正在研发一个集成化的E-band收发器,用于去程线路(Fronthaul)和回程线路基本举措措施,以实现数字独裁调制,及高度聚焦的笔形波束(Pencil-beam)传输,数据速度可高达10Gbps。笔形波束的属性有助于进步回程线路和去程线路频率再用率,同时在毫米波(millimeter-wave)鞠嗨时代保护频谱应用率(Spectrum efficiency)不受影响。

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    作为欧盟第7框架筹划中的一个项目,E3NETWORK(Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)汇集了浩瀚企业,个中包含CEIT(西班牙)、Fraunhofer(德国)、阿尔卡特朗讯(意大年夜利)、CEA(法国)、INXYS(西班牙)、OTE(希腊)、SiR(德国)、Sivers IMA(瑞典)和意法半导体(意大年夜利)。

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    编者注: 高压电源hvpsc.com

    ST的BiCMOS技巧将两种不合制造工艺的优势整合在一颗芯片上,双极晶体管供给高传输速度及高增益,这对于高频模仿电路至关重要,而CMOS元器件在构建简单、低功耗逻辑门方面的应用表示也异常出色。

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