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Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积

作者:高压电源网 日期:2016-05-03 17:20 出处:跌迁高压电源网 人气: 

Diodes MOSFET H桥节俭50%占位面积 hvpsc.com

    DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把双N通道和双P通道MOSFET集成到占位面积仅为5mm x 6mm 的单一SO-8封装,成为完全的H桥。替代尺寸相当于四个SOT23封装或两个SO-8封装的器件,实用于多种受空间限制的汽车和工业应用,包含低功率直流无刷电机驱动器和电扇控制,并且知足驱动电感负载的类似请求。 hvpsc.com

    Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对MOSFET H桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品经由过程削减元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积,简化电机驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在知足车用电机驱动应用的请求;30V额定值H桥DMHC3025LSD则合适12V单相电扇应用。 高压电源hvpsc.com

    两款H桥节俭空间的优势与MOSFET的低导通电阻机能相辅相成,40V N通道器件在10V VGS的电压下一般只有45mΩ的电阻;40V P通道器件的电阻在 -10V VGS 的电压下则为65mΩ。器件的低导通电阻可把传导损耗降到最低,大年夜而可以或许在电机堵转的情况下遭受较高的持续电流。这些30V及40V额定值的H桥在+70ºC的高温工作情况下,可分别供给3A和2A的持续电流,以适应最坏情况下的电机堵转电流。<

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