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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压

作者:高压电源网 日期:2016-05-03 17:14 出处:跌迁高压电源网 人气: 

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件合适应用在功率不跨越500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件雷同的长处极低导通损耗和开关损耗等,可赞助客户达到更高的机能/效力标准,例如某些高机能花费类产品、照明应用,以及ATX/银盒PC开关电源所请求的严格的80 PLUS转换效力标准。

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Vishay宣布11颗采取Gen II超等结技巧的新款500V高压MOSFET 高压电源hvpsc.com

    器件的低导通电阻还有助于进步功率密度,同时其更快的开关速度可进步如功率因数校订(PFC)、双开关正激转换苹赝反激式转换器等典范硬开关拓扑的效力。 copyright hvpsc.com

    器件相符RoHS,可遭受雪崩和换流模式里的高能脉冲,并且包管限值经由过程100%的UIS测试。

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    今天推出的┞封些500V MOSFET采取第二代超等结技巧制造,为基于标准平面技巧的Vishay现有的500V D系列供给了高效力的弥补产品。器件的电流大年夜12A到20A,具有190mΩ~380mΩ的低导通电阻和22nC~45nC的超低栅极电荷,这种组合为功率转换应用供给了十分有利的优值系数(FOM)。 内容来自高压电源网

    器件规格表:

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