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我国首条8英寸大功率半导体器件IGBT产业化基地奠

作者:高压电源网 日期:2016-05-20 09:47 出处:跌迁高压电源网 人气: 

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝悦魅栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技巧概绫屈的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、智能电网、新能源汽车等计谋性新兴家当范畴,被誉为功率变流装配的“CPU”。今朝国内IGBT产品市场需求重要依附外国厂商。 内容来自hvpsc.com

  该项目扶植一条年产12万片8英寸IGBT芯片和9条年产百万只大年夜功率IGBT模块的临盆线,产品电压等级大年夜600伏到6500伏。项目配套扶植IGBT芯片制造、封装测试、靠得住性实验全套设备举措措施,集IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、靠得住性实验、体系应用等成套技巧的研究、开辟及产品制造于一体,主动化、专业豢锥围化程度达到国际先辈程度。

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      近日,我国首条8英寸大年夜功率半导体器件IGBT家当化基地项目在中国南车股份有限公司株洲田心工业袈浒奠定。 高压电源hvpsc.com

  该项目标扶植,将加快我国大年夜功率半导体IGBT家当化过程。 内容来自hvpsc.com

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