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先进功率半导体器件研发获突破

作者:高压电源网 日期:2016-05-20 09:42 出处:跌迁高压电源网 人气: 

      我国先辈功率半导体器件研发获得重大年夜冲破。近日,湖南省科技厅组织来自中国工程院、中国科学院、清华大年夜学、同济大年夜学等单位的院士、专家,在长沙对证洲南车时代电气股份有限公擅自立研制的3300V轨道交通用IGBT芯片进行了技巧剖断。专家组一致经由过程了该产品的技巧剖断,认为该技巧和产品弥补了国内大年夜功率IGBT芯片技巧空白,达到国际先辈程度。

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  IGBT中文全名“绝悦魅栅双极型晶体管”,是功率半导体器件第三次技巧概绫屈的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等计谋性家当范畴,被业界誉为功率变流装配的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

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  与其他工业用IGBT比拟,轨道交通应用的大年夜功率IGBT更具特别性。因轨道交通对象牵引负荷重、运行情况复杂多变,请求相干器件能遭受刹时高压大年夜电流变更、能实现动态主动优化、极高的安然靠得住性等特点,技巧请求相当高。此前,这项技巧重要控制在国外企业手中,国内固然控制了相干产品的模块封装技巧,但芯片设计及工艺等关键核心技巧依然未冲破。而由南车时代电气自立研制的3300V轨道交通用IGBT芯片产品,在地铁和大年夜功率电力机车上试用,分别平安稳定运行65万公里和50万公里,产品机能优良。 内容来自hvpsc.com


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