基于数十年的电源治理立异经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，大年夜而使TI成为首家，也是独一一家可以或许向"大众,"供给集成有高压驱动器的GaN解决筹划的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决筹划比拟，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模仿与数字电力转换控制器组合在一路，能使设计人员创造出尺寸更小、效力更高并且机能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源竽暌功用中都特别重要。

    “经由过程3百万小时以上的靠得住测试，LMG3410使电源设计人员对GaN的无穷潜能充斥信念，并且这也他们用之前认为根本弗成行的办法从新思虑电源架构和体系，”TI高压电源解决筹划副总裁Steve Lambouses说，“跟着TI在临盆制造才能和大年夜量体系设计专业常识方面的荣誉赓续扩大年夜，全新的功率级成为TI迈向GaN市场的重要一步。”

    经验证的制造和封装专业技巧

    LMG3410是第一款包含了由TI临盆的GaN FET的半导体集成电路(IC)。基于在制造和工艺范畴多年形成的专业技巧，TI在其硅技妙策容的工厂内创造出了GaN器件，并且经由过程赓续的实践，使这些器件的质量跨越了电子元件工业结合会(JEDEC)标准的请求，以确保GaN在严格的应用情况下的靠得住性和稳健耐用性。易于应用的封装将有助于增长功率因数控制器(PFC) AC/DC转换器、高压DC总线转换器和光伏(PV)逆变器等应用中GaN电源设计的安排和采取率。

    LMG3410的重要特点和优势

    使功率密度加倍。与基于硅材料的先辈升压功率因数转换器比拟，600V功率级在图腾柱PFC中的功率损耗还要低50%。削减的物料清单(BOM)数量和更高的效力最多可以将电源的尺寸削减50%。

    削减封装寄生电感。与分立式GaN解决筹划比拟，全新器件的8mmx8mm四方扁平无引线(QFN)封装削减了功率损耗、组件电压应力和电磁干扰(EMI)。

    可实现全新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有益于全新开关拓扑，个中包含图腾柱PFC和LLC拓扑，以增长功率密度和效力。

    借助集成驱动器和零反向恢复电流等特点，LMG3410供给靠得住的机能，特别是在硬开关应用中更是如斯；在这些应用中，它可以或许极大年夜地降低开关损耗，最多能降低80%。与自力GaN FET不合，易于应用的LMG3410集成了针对温度、电流和欠压闭锁(UVLO)故障保护的内置智能化等功能。

    拓展GaN生态体系

    为了可以或许让设计人员在他们的电源设计中应用GaN技巧所具有的优势，TI还推出了全新的产品，以扩大其GaN生态体系。LMG5200POLEVM-10，一个48V至1V负载点(POL)评估模块，将包含与80V LMG5200 GaN FET功率级配对应用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决筹划可以在工业、电信和数据通信应用中实现高达92%的效力。<