安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、_产品动态_电源资讯_高压电源,脉冲电源,高压脉冲电源-苏州聚永达电子科技有限公司

2018年2月28日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。

安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培（A）到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数。

工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑战。

这些650 V器件提供的系统优势包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压（V_F）及SiC二极管的无反向恢复电荷能减少功率损耗，因而提高能效。SiC二极管更快的恢复速度令开关速度更高，因此可以缩减磁性元件和其他无源元件的尺寸，实现更高的功率密度和更小的整体电路设计。此外，SiC二极管可承受更高的浪涌电流，并在 -55至 +175°C的工作温度范围内提供稳定性。

安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利终端结构，加强可靠性并提升稳定性和耐用性。此外，二极管提供更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关（UIS）能力和最低的电流泄漏。

安森美半导体MOSFET业务部高级副总裁兼总经理Simon Keeton表示：“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC器件相辅相成，为客户带来更广泛的产品范围。SiC技术利用宽带隙 (WBG) 材料的独特特性，比硅更实惠，其稳健的结构为严苛环境中的应用提供可靠的方案。我们的客户将受益于这些简化的、性能更佳、尺寸设计更小的新器件。”

封装与定价
650 V SiC二极管器件提供DPAK、TO-220和TO-247封装，每千件的单价为1.30美元至14.39美元。

欢迎莅临安森美半导体在美国APEC #601号展台，观看SiC MOSFET和二极管的现场演示，展示安森美半导体最新的仿真建模技术如何精确地匹配真实的器件工作。

安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、

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