三星推11纳米 FinFET 宣布 7nm 将周全导入 EUV_企业动态_电源资讯_高压电源,脉冲电源,高压脉冲电源-苏州聚永达电子科技有限公司

根据三星表示，11 奈米 FinFET 制程技巧「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采取 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，可以大年夜大年夜缩小芯单方面积。另一方面，也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。将来，三星的 11LPP 制程技巧将弥补 14 奈米与、10 奈米制程之间的空白，号称可在一致晶体管数量和功耗下，比 14LPP 制程技巧晋升 15% 的机能，或者降低 10% 的功耗。别的，还可以使得晶体管的密度也有所晋升。

至于，三星于 2016 年 10 月开端投产 10 奈米制程技巧「10LPE (10nm Low Power Early)」。而今朝已经完成研发，达到即将投产的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」状况，重要将可协助临盆更高规格的智能型手机芯片。而三星的 14 奈米制程技巧部分，则将以主流、低功耗和紧致型的芯片临盆为主。今朝，三星还在积极开辟增长新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。

别的，三星还表示，将来还一路预备了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米制程技巧，个中 7 奈米的 7LPP 版本还将会周全参加 EUV 极紫外光刻设备制程，并且确认将在 2018 年下半年试产。不过，也另有报导表示，在那之前的 2018 年上半年，三星会起首在 8LPP 制程的特定制程上开端应用 EUV。

三星指出，2014 年以来，已经应用 EUV 技巧处理了接近 20 万片晶圆，并取得了丰富结不雅。比如 256Mb SRAM 的产品良率已经达到了 80%。而也因为三星有晶圆代工，DRAM，NAND Flash 的制造与临盆才能，又在内存产品的市占率上独有鳌头。使得，三星具有雄厚的成本可以应用 EUV 的设备。然则，这也使得其他竞争厂商产生宏大年夜的成本压力。因为， EUV 的价值不斐，要可以或许有效力的应用以增长收入，这对其他内存厂商来说是一件具备压力的工作。跟着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂筹划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技巧的竞争就正式进入白热化的阶段。台积电的敌手三星 29 日也宣布，将开端导入 11 奈米的 FinFET，估计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 奈米制程上周全采取 EUV 极紫外线光刻设备。

三星推11纳米 FinFET 宣布 7nm 将周全导入 EUV

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