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三星 11LPP 工艺宣布，有啥机密？
发布时间：2017-10-09 人气：0次 编辑：未知
Intel 固然几回再三强调本身的 xxnm 工阴沉鲱精确的，比如同样标称 10nm，本身要比三星、台积电的领先整整一代，然则没办法，人家的脚步要快得多。
今天，三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”（Low Power Plus），并确认将来7nm工艺将上 EUV 极紫外光刻。
三星 11LPP 工艺不是全新的，而是 14nm、10nm 的融合，一方面采取 10nm BEOL（后端工艺），可以大年夜大年夜缩小芯单方面积，另一方面则沿用 14nm LPP 工艺的部分元素。
三星于2016年10月投产 10LPE（10nm Low Power Early），并已预备好即将投产 10LPP（10nm Low Power Plus），重要为智妙手机制造芯片，14nm 工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。
下一步，三星还会增长 14LPU、10LPU 版本。
11LPP 工艺将弥补三星 14nm、10nm 之间的空白，号称可在一致晶体管数量和功耗下比 14LPP 工艺晋升15％的机能，或者降低10％的功耗，别的晶体管密度也有所进步。
将来，三星还一路预备了 9nm、8nm、7nm、6nm、5nm 工艺，个中 7nm 7LPP 版本会周全融合 EUV 极紫外光刻，确认2018年下半年试产。
三星筹划2018年上半年投产 11LPP 工艺。
另有报道称，在那之前的来岁上半年，三星会起首在 8LPP 工艺的特定层上应用 EUV。
三星表示，2014年以来，已经应用 EUV 技巧处理了接近20万块晶圆，取得了丰富结不雅，比如 256Mb SRAM 的良品率达到了80％。
今天，三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”（Low Power Plus），并确认将来7nm工艺将上 EUV 极紫外光刻。
三星 11LPP 工艺不是全新的，而是 14nm、10nm 的融合，一方面采取 10nm BEOL（后端工艺），可以大年夜大年夜缩小芯单方面积，另一方面则沿用 14nm LPP 工艺的部分元素。三星于2016年10月投产 10LPE（10nm Low Power Early），并已预备好即将投产 10LPP（10nm Low Power Plus），重要为智妙手机制造芯片，14nm 工艺则针对主流、低功耗和紧凑型芯片。
下一步，三星还会增长 14LPU、10LPU 版本。
11LPP 工艺将弥补三星 14nm、10nm 之间的空白，号称可在一致晶体管数量和功耗下比 14LPP 工艺晋升15％的机能，或者降低10％的功耗，别的晶体管密度也有所进步。
将来，三星还一路预备了 9nm、8nm、7nm、6nm、5nm 工艺，个中 7nm 7LPP 版本会周全融合 EUV 极紫外光刻，确认2018年下半年试产。
三星筹划2018年上半年投产 11LPP 工艺。
另有报道称，在那之前的来岁上半年，三星会起首在 8LPP 工艺的特定层上应用 EUV。
三星表示，2014年以来，已经应用 EUV 技巧处理了接近20万块晶圆，取得了丰富结不雅，比如 256Mb SRAM 的良品率达到了80％。
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