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 马博还演示了他提出的晶体管密度计算公式 ,用以规范晶体管密度的通用衡量标准,以词攀厘清当前业内制程节点定名乱象,这也是英特尔不懈的保持和尽力,将有助于加倍轻易地比较不合厂商之间的技巧。今天举办,展示了英特尔制程工艺的多项重要进展,包含:英特尔10纳米制程功耗和机能的最新细节,英特尔首款10纳米 FPGA 的筹划,并宣布了业内首款面向数据中间应用的64层 3D NAND 产品已实现商用处出货。
 “英特尔遵守摩尔定律,持续向前推动制程工艺,每一代都邑带来更强的功能和机能、更高的能效、更低的晶体管成本,”英特尔公司履行副总裁兼制造、运营与发卖集团总裁 Stacy Smith 表示,“很高兴初次在中国与大年夜家分享英特尔制程工艺路线图中的多项重要进展,展示了我们持续推动摩尔定律向前成长所获得的丰富结不雅。” 英特尔公司全球副总裁兼中国区总财揭捉旭
 英特尔公司全球副总裁兼中国区总财揭捉旭迎接来自合作伙伴、客户、当局部分和学术界的嘉宾以及消息媒体出席2017年9月19日在北京举办的“英特尔精尖制造日”晃荡。此次晃荡着眼于快速成长的中国技巧生态体系,重申英特尔与中国半导体家当共成长典范诺。英特尔在中国深耕32年,打造了世界级的晶圆制造和封装测试工厂,自2004年以来在华协定总投入达130亿美元。
 披露10纳米制程的功耗和机能最新进展
 Stacy Smith 进一步表示,英特尔推动摩尔定律向前成长的才能——每一年都持续降低产品价格并晋升其机能——是英特尔的核心竞争优势。英特尔一向以来都是并将持续成为推动摩尔定律向前成长的技巧引导者,今朝英特尔在制程工艺上保持着大年夜约三年的领先性。
 英特尔高等院士马博(Mark Bohr)介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节,展示了英特尔的技巧领先性。在晶体管密度和晶体管机能方面,英特尔10纳米均领先其他竞争友商“10纳米”整整一代。经由过程采取超微缩技巧(hyper scaling),英特尔10纳米制程工艺拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,大年夜而实现了业内最高的晶体管密度。超微缩指的是英特尔在14纳米和10纳米制程节点上晋升2.7倍晶体管密度的技巧。在此次“英特尔精尖制造日”晃荡上,英特尔“ Cannon Lake ”10纳米晶圆全球初次公开表态。
 英特尔公司履行副总裁兼制造、运营与发卖集团总裁 Stacy Smith 全球初次展示“ Cannon Lake ”10纳米晶圆,采取超微缩技巧,拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,大年夜而实现了业内最高的晶体管密度。
 介绍 22FFL 的功耗和机能最新进展
 马博同时介绍了英特尔 22FFL 功耗和机能的最新细节。22FFL 是在2017年3月美国“英特尔精尖制造日”晃荡上初次宣布的一种面向移动应用的超低功耗 FinFET 技巧。英特尔 22FFL 可带来一流的 CPU 机能,实现跨越 2GHz 的主频以及漏电降低100倍以上的超低功耗。此外,22FFL 晶圆在本次晃荡上全球初次公开表态。 英特尔公司履行副总裁兼制造、运营与发卖集团总裁 Stacy Smith
 揭晓10纳米 FPGA 产品筹划
 在本次晃荡上,英特尔颁布了采取英特尔10纳米制程工艺和晶圆代工平台的下一代 FPGA 筹划。研发代号为“ Falcon Mesa ”的 FPGA 产品将带来全新程度的机能,以支撑数据中间、企业级和收集情况每日益增长的带亢孟耋。
 英特尔和 Arm 在10纳米制程合作方面取得重大年夜进展
 在2016年8月于旧金山举办的英特尔信息技巧峰会(IDF)上,英特尔晶圆代工宣布与 Arm 杀青协定,两边将加快基于英特尔10纳米制程的 Arm 体系芯片开辟和应用。作为这一合作的结晶,今天的“英特尔精尖制造日”全球初次展示了 Arm Cortex-A75 CPU 内核的10纳米测试芯片晶圆。这款芯片采取行业标准设计流程,可实现跨越 3GHz 的机能。
 宣布业内首款面向数据中间的64层 TLC 3D NAND 固态盘
 英特尔还宣布了业内首款面向数据中间的64层、三级单位(TLC)3D NAND 固态盘产品已正式出货。该产品自2017年8月初便开端向部分顶级云办事供给商发货,旨在赞助客户大年夜幅晋升存储效力。在存储范畴30年的专业积淀,使得英特尔可以推出优化的 3D NAND 浮栅架构和制造工艺。英特尔的制程领先性,使其可以或许快速把2017年6月推出的64层 TLC 固态盘产品组合,敏捷大年夜客户端产品扩大到今天的数据中间固态盘产品。到2017年事尾,该产品将在更大年夜范围内上市。

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