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Diodes 公司晋升萧特基二极管的效能达 20%
发布时间:2017-07-14 人气:0次 编辑:未知
PowerDI?5、TO220AB 及 ITO220AB 封装选项,都能供给绝佳的热能转移特点,使 SDT 萧特基二极管系列能在严格的应用中进行靠得住运作。这些封装极为合适大年夜量制造,SDP 零件可做为直接调换零件,代替一般平面型萧特基二极管。
【2017 年 7 月 12 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司所推出的 SDT 萧特基二极管系列,应用先辈的深槽工艺,供给出色效能,且成本比平面型萧特基二极管邻近甚至更低。初始的 29 个装配系列产品,采取热效力封装,供给阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能,合适广泛的产品应用,例如 AC-DC 充电器/转接器、DC-DC 上/下转换及 AC LED 照明。Diodes 公司的立异深槽工艺,使 SDT 萧特基二极管系列可达到最低 0.62V 的顺向电压 (VF),及 3.5?A 的漏电流。如斯优良的效能,培养出色的功率效力,使终端体系设计采取更为精细的外型。此系列产品中,供给 5A 至 40A 的最大年夜平均整流电流额定,峰值反复反向电压 (VRRM) 最高达 120V,顺向突波电流 (IFSM) 最高达 280A,确保完全温度范围内拥有靠得住的体系运作。
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