AllGaN™集成技巧解决了电力电子30年来在高速高压方面的挑衅
    加利福尼亚州埃尔塞贡多EL SEGUNDO, Calif.--(PRWeb)—Navitas(音译:纳薇)半导体今天宣布重大年夜技巧冲破，推出业界首个集成半桥氮化镓(GaN)功率IC。半桥电路是电力电子行业的重要基本，可以广泛应用到智妙手机和标记本充电器，电视，太阳能电池板，数据中间和电动汽车。
Navitas专有的AllGaN半桥氮化镓(GaN)功率IC采取iDrive™单芯片技巧，集成了所有半桥功能，供给高达2MHz开关速度，在供给更快充电的同时，大年夜大年夜削减尺寸，成本和重量。硅的半桥组件开关速度迟缓，寄生功率损耗高，开关速度比氮化镓(GaN)慢30倍。
 
     第一个半桥氮化镓(GaN)功率IC产品是650V的NV6250，采取6x8mm QFN封装，具有高低管驱动器，电平转换器，两个560mohm功率FET，自举电路和多种保护功能。简单数字PWM输入旌旗灯号在所有频率下能轻松驱动半桥，为电源体系设计人员供给了极大年夜的易用性和构造灵活性。 NV6250与业界IC合作伙伴的模仿和数字控制器兼容。
 
     Navitas全球发卖和营销副总裁Stephen Oliver说：“采取有源钳位反激电路（Active Clamp Flyback, ACF），NV6250合实用于20W至30W的智妙手机快速充电器，平板电脑，IoT，可穿戴设备等的外部适配器。我们筹划推出65W ACF 半桥氮化镓(GaN) IC，可用在200WLLC拓扑中”
 
     Navitas首席履行官Gene Sheridan说：“这是电力电子范畴冲动人心的时刻。高压，高速的电力体系已经实际可行，这将使新型的高密度，快速充电和低成本的电力体系成为可能。Navitas初次在2015年的APEC 展示了单芯片半桥技巧，我们已经与合作伙伴慎密合作，设计有冲破性尺寸和效力的下一代适配器和充电器。我们早前宣布的AllGaN平台的JEDEC认证说清楚明了氮化镓(GaN)功率管已经成熟和可以量产”
     Navitas如今可以供给NV6250的样品和样机，NV6250筹划于2017年第二季度开端临盆。合格的客户请接洽Navitas。
 
    “半桥拓扑在高频应用中经常碰到的艰苦是若何精确，快速，高效地对上管开关供电和控制。”Delta作为全球电源设计和制造的引导者，其全球研发高等副总裁Milan M. Jovanovic博士说到“经由过程集成电平转换，自举和双驱动这些重要功能，所有在氮化镓(GaN)应用中重要挑衅已经解决，为MHz级高压电源体系的设计铺平了门路。”
 
 
     麻省理工电力登着笮究集团（MIT Power Electronics Research Group）的领头人David Perreault传授说，“麻省理工学院在研究高频功率变换器有十多年经验。在很多设计中的一个关键技巧瓶颈是驱动高端管时高速电平转换和门极驱动的限制，跟着集成高速门极驱动的高压氮化镓(GaN)功率IC的推出，高速驱动在很多应用中有巨大年夜的潜力。恭喜Navitas！”
     Navitas半导体(www.navitassemi.com)是世界上首个也是独一的氮化镓(GaN)功率IC公司，于2013年在美国加州洛杉矶地区埃尔塞贡多成立，Navitas的治理经营团队在半导体材料，电路，应用，体系和市场营销方面有多达200年经验。多位开创人共拥有跨越125项专利创造。独有的AllGaN™设计集成了高压高机能的氮化镓功率管和氮化镓驱动逻辑电路。Navitas氮化镓功率芯片可在移动花费市场，企业市场和新能源市场实现更小，更节能，更低成本的筹划设计。公司有25多项专利申请已经被授予或在受理中。
 
     Navitas将在2017年3月26日至30日在佛罗里达州坦帕市的应用电力电子会议（APEC）举办时代┞饭示NV6250和其他AllGaN™GaN功率IC。请致电+1 ThinkGaNIC（844-654-2642）预定展示。
 
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