最小封装功率MOSFET导通电阻低至43mΩ_产品动态_电源资讯_高压电源,脉冲电源,高压脉冲电源-苏州聚永达电子科技有限公司

日前，Vishay Intertechnology公司宣布推出采取业内最小0.8mm×0.8mm×0.4mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。
宣布的器件将用于智妙手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源治理应用中的电池或负载开关。MOSFET的外形紧凑小巧，可节俭PCB空间并实现超薄的外形，使便携式电子产品变得更薄、更轻。低导通电阻可实现更低的传导损耗，以削减功耗并延长电池寿命。器件的低导通电阻还可以降低负载开关上的压降，避免憎恶的欠压锁定。
Si8489EDB是首个1mm×1mm规格尺寸的P沟道Gen III器件，典范ESD保护达2500V。此外，Si8817DB可以在1.5V电压下导通，可以搭鼓掌持设备中常见的更低电压栅极驱动和更低的总线电压一路工作，节俭电平转换电路的空间和成本。

新款TrenchFET功率MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十二严密十四周。

    这些MOSFET是首批采取这种规格尺寸的产品，采取超高密度技巧制造，应用自对齐工艺技巧，将10亿个晶体管单位装到1平方英寸的硅片里。经由过程MICRO FOOT的无封装CSP技巧，使器件在给定的外形面积内实现了尽可能低的导通电阻。
    12V Si8806DB是P沟道器件，在4.5V栅极驱动下的最大年夜导通电阻为43mΩ。如须要20V电压，Si8812DB供给59mΩ的最大年夜导通电阻。N沟道器件实用于DC/DC升压转化器等高速开关应用，开启/关断时光小于100ns。
    20V P沟道Si8817DB和Si8489EDB实用于降压转换器应用。更小的0.8mm×0.8mm×0.4mm Si8817DB在4.5V栅极驱动下的最大年夜导通电阻为76m?，可用于空间比导通电阻更重要的应用处合。1mm×1mm的Si8489EDB在4.5V的导通电阻更低，只有54mΩ，实用于导通电阻更重要的应用。
    器件相符RoHS指令2011/65/EU和JEDEC JS709A的无卤素规定。

器件规格表：

电子体系设计

最小封装功率MOSFET导通电阻低至43mΩ

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