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TI低侧栅极驱动器LM5114带来高效力与高电源密度
发布时间:2016-08-15 人气:0次 编辑:未知
LM5114可经由过程5 V电源电压的自力源极与汲极输出(sink and source output)驱动标准MOSFET与GaN FET。它具有应用较大年夜或并行FET的大年夜功率应用中所需的7.6 A岑岭值关断电流功能。此外,进步的下拉强度还有助于该器件驱动GaN FET。自力源极与汲极输出可撤消驱动器路径中的二极管,精确控制起落时光。
LM5114低侧栅极驱动器的重要特点与优势:
●可优化起落时光的自力源极与汲极输出支撑更高的效力;
●+4 V至+12.6 V单电源支撑各类应用;
●0.23欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通;
●7.6 A/1.3 A峰值汲极/源极驱动器电流可最大年夜限度削减电压突变(DV/DT)的影响;
●匹配反相及非反相输入之间的延迟时光,可降低停止时光损耗;
●12 ns典范传播延迟可在进步效力的同时,支撑高开关频率;
●高达14 V的逻辑输入(不受VCC影响); 日前,德州仪器(TI)宣布推出用于合营高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)应用的低侧栅极驱动器。LM5114可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的GaN FET与MOSFET。该系列加上2011年推出的业界首款100 V半桥GaN FET驱动器LM5113,可为高机能电信、收集以及数据中间应用中应用的大年夜功率GaN FET与MOSFET供给完全的隔离式DC/DC转换驱动器解决筹划。
●-40摄氏度至+125摄氏度的宽泛工作温度。
供货情况与封装
LM5114现已开端批量供货,可经由过程TI及其授权分销商进行订购。该器件采取6引脚SOT-23封装或裸焊盘6引脚LLP封装。
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