全球领先的高等案婕体和解决筹划的供给商瑞萨电子股份有限公司（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，构成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采取碳化硅的第二个功率半导体产品系列。碳化硅是一种能有效降低损耗的新材料。全新功率器件旨在用于家电（如空调）、PC办事器和太阳能发电体系等电力电子产品。

瑞萨电子碳化硅（SiC）功率器件系列

比来，为了应对环保问题，降低电气设备功耗，进步电气产品效力的需求赓续进步。特别是进步电源转换效力，以降低空调、通信基站、PC办事器和太阳能发电体系等产品的电源转换电路的功耗，以及电机和工业设备等应用的逆变电路的功耗的趋势日渐加强。这刺激了对具备更高效力和更低损耗特点的功率器件的巨大年夜需求。为此，瑞萨电子推出了低损耗碳化硅肖特基势垒二极管（SiC-SBD）产品。矫嗽讼奘后推出的是全新碳化硅复合功率器件系列，这可经由过程结合SiC-SBD和大年夜功率MOSFET或IGBT在单一封装中实现电路（开关、电源转换等）设计。
这些新产品的额定峰值电压为600 V，并应用基于日立股份有限公司与瑞萨电子联手开辟的低漏电流SiC-SBD技巧的碳化硅二极管。它们将低损耗与紧凑设计加以完美结合，并采取5针TO-3P封装，而引脚分派则针对具体应用进行了优化，因而很轻易在设备电路单位时应用这些器件。
三款全新SiC功率器件的重要特点：
(1) 面向临界导通模式PFC应用的RJQ6020DPM器件
RJQ6020DPM器件在单一封装中融合了一个SiC-SBD和两个高压功率MOSFET，实用于空调或平板电视电源开关电路等临界导通模式PFC应用。
SiC-SBD的反向恢复时光（trr）仅为15纳秒（ns），高压功率MOSFET是采取深沟槽设备实现100 m?低导通电阻的高效超结（SJ-MOS）晶体管。
全新RJQ6020DPM器件也可与瑞萨电子供给的R2A20112A/132临界导通模式PFC-IC结合应用，因而很轻易实现交错控制。
(2) 面向持续导通模式PFC应用的RJQ6021DPM器件
RJQ6021DPM器件在单一封装中结合了一个SiC-SBD和两个IGBT，实用于通信设备和PC办事器中的AC/DC整流器等PFC应用。
(3) 面向半桥式逆变电路的RJQ6022DPM器件
RJQ6022DPM器件在单一封装中结合了两个SiC-SBD和两个IGBT，实用于空调和工业机械中电机驱动半桥式逆变电路应用。
SiC-SBD的反向恢复时光（trr）仅15纳秒（ns），超薄晶圆IGBT可供给1.5 V的低导通电压和6微秒（μsec.）的短路时光（tsc），这实用于电机驱动应用。
一个RJQ6022DPM器件足以实现一个半桥式电路设计，而两个则可以用于实现全桥设备，三个可用于实现三相桥电路设计。除简化电机驱动电路的设计外，RJQ6022DPM器件将作为套件解决筹划的一部分，与RX600系列等瑞萨微控制器一路供给。
聚焦全新系列的高压碳化硅复合功率器件，其开辟是为了带给客户由微控制器及模仿和功率器件构成的┞符体解决筹划，同时让瑞萨电子跻身全球功率器件领袖行列。瑞萨电子筹划推出将全新碳化硅复合功率器件与微控制器、电源控制IC及其他器件相浇忧⒛套件解决筹划。今朝正在筹划装有全新碳化硅复合功率器件、PFC-IC、RX600系列微控制器等的参考板，赞助客户进行套件评估和产品设计。
订价与供货
瑞萨电子全新碳化硅复合功率器件的样品筹划于2012年2月上市，单价为10美元。瑞萨筹划在2012年5月开端批量临盆，估计在2013年4月的月总产量达到30万件。（订价和供货信息如有蹦更，恕不另行通知。）
（备注）所有注册商标或商标均为其各自所有者的家当。
碳化硅复合功率器件的产品规格
[常用规格]
封装：5针TO-3PFM
【附件】
构成元件（高边/低边）：SiC-SBD/高机能SJ-MOSFET
反向峰值电压（VR）：600 V
SiC-SBD额定电流：20 A
SiC-SBD正向电压（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
SJ-MOSFET额定电流：20 A
SJ-MOSFET导通电阻（Ron）0.1 ?（VG = 10 V，ID = 10 A）
SJ-MOSFET反向恢复时光（trr）：120 ns（ID = 10 A）
[RJQ6021DPM器件的规格（面向持续导通模式PFC应用）]
构成元件（高边/低边）：SiC-SBD/超薄晶圆IGBT
反向峰值电压（VR）：600 V
全新RJQ6021DPM器件也可于瑞萨电子推出的R2A20114A持续导通模式PFC-IC结合应用，因而很轻易实现交错控制。
SiC-SBD额定电流：20 A
SiC-SBD正向电压（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
IGBT额定电流：20 A
IGBT关断时光（tf）：60 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
[RJQ6022DPM器件的规格（面向半桥式逆变电路）]
构成元件（高边/低边）：超薄晶圆IGBT/SiC-SBD /超薄晶圆IGBT/SiC-SBD
IGBT导通电压（Vsat）：1.5 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
额定通道温度（Tch）：+150℃
反向峰值电压（VR）：600 V
SiC-SBD额定电流：20 A
SiC-SBD正向电压（VT）：1.5 V（IF = 10 A）
IGBT额定电流：20 A
IGBT导通电压（Vsat）：1.4 V（VG = 15 V，IC = 20 A）
IGBT关断时光（tf）：70 ns（VCE = 400 V，IC = 20 A）
短路时光（tsc）：6.0微秒 标准（Vcc = 360 V，VGE = 15 V）