Vishay推出iHG47N60S N沟道功率MOSFET_产品动态_电源资讯_高压电源,脉冲电源,高压脉冲电源-苏州聚永达电子科技有限公司

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大年夜导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采取TO-247封装。

新款功率MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十严密十二周。

栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC，是业界词攀类器件傍边最低的。

SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗，大年夜而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、办事器和电机控制电源竽暌功用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。

新的SiHG47N60S应用Vishay Super Junction技巧制造，这种技巧为减小通态电阻、在雪崩和通信模式中遭受高能脉冲进行了有针对性的处理。MOSFET相符RoHS指令2002/95/EC，为包管靠得住工作进行了完全的雪崩测试。