欢迎光临苏州聚永达电子科技有限公司官方网站!

全国服务热线: 17310315537

新闻资讯

NEWS

联系我们

CONTACT US

苏州聚永达电子科技有限公司

联系人:马经理

手机:17310315537

邮箱:mayong@hvpsc.com

地址:苏州市高新区滨河路 588号3幢1011室

网址:www.hvpsc.com

产品动态

当前位置:网站首页 > 电源资讯 产品动态

全球功率半导体和治理筹划引导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出 IRF6706S2PbF IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组,为 12V 输入同步降压应用 (包含办事器、台式电脑和标记本电脑) 供给最佳效力。

产品根本规格 

 

IRF6706S2PbF IRF6798MPbF 25V 芯片组不只采取了 IR 最新一代 MOSFET 硅技巧,还具有业界领先的机能指数 (FOM) DirectFET 封装卓越的开关和热特点,成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决筹划。

 

IR 亚洲区发卖副总裁潘大年夜伟表示:“IR 经由过程改良关键参数赓续晋升功率 MOSFET 的机能。新款 IRF6706S2PbF IRF6798MPbF DirectFET 芯片组把低电荷及低导通电阻 (RDS(on)) 与业界最低的┞筏极电阻 (Rg) 相结合,使传统上由典范同步降压转换器的同步和控制接口产生的传导损耗和开关损耗降到了最低。”

 

IRF6798MPbF 中罐 DirectFET 封装供给低于1 m? 的导通电阻,使全部负载范围可保持极高的效力。新器件配有单片集成式肖特基二极管,可以或许削减与体二极管传导相干的损耗,并能实现反向恢复损耗,进一步进步解决筹划的┞符体机能。IRF6798MPbF 还供给仅为 0.25 m? 的极低栅极电阻,避免了与 Cdv/dt 相干的击穿。

 

 有关产品现正接收批量订单。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻,可削减开关损耗及传导损耗,还可为快速开关供给极低的┞筏极电阻。

器件编号

BVDSS (V)

10V 的典范导通电阻(m?)

4.5V 下的典范导通电阻 (m?)

VGS (V)

典范QG (nC)

典范QGD (nC)

外形代码

IRF6798MPBF

25

0.915

1.6

+/-20

37

50

16

TA 25ºC时的 ID (A)

MX

IRF6706S2PBF

3.2

25

5.3

+/-20

17

12

4.2

S1

推荐产品

首页 电话 联系