飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助进步手机、医疗、便携和花费应用设计的升压转换电路效力。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典范值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以晋升DC-DC升压设计的效力。FDFME3N311ZT 采取飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技巧，经由过程细心优化动态机能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变更小，可以防止转换器效力随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm×1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) MicroFET 薄型封装中，集成了两个分立器件，不只可以或许知足紧凑型DC-DC升压设计的需求，并且比拟先前的升压开关产品节俭36% 的电路板空间。

FDFME3N311ZT供给30V的击穿电压，可为手机等应用驱动多达7个或8个白光LED(实际数字取决于所选择的LED和设计保护带)。白光LED平日用作手机等移动设备的显示器的背光照明，一般以串联方法连接，以确保每个LED具有雷同的┞俘向电流和亮度。以每个LED的┞俘向电压约为3-3.5V计算，应用这款升压开关将有助于慢慢进步现有的电池升压输出电压(大年夜多半情况下为单一锂电池)。

这款升压开关是飞兆半导体多元化的MOSFET产品系列的最新成员，该产品系列具有宽泛的击穿电压 (20V-1000V) 范围和先辈的封装技巧等特点，可以或许解决现时设计所面对的各类复杂的功率和空间难题。

价格 (订购1,000个，每个)： 0.25美元

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